外部引入至集成电路型或微机型保护装置的空触点，进入保护后应经（）。
外部引入至集成电路型或微机型保护装置的空触点，进入保护后应经（）。
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我国继电保护技术发展先后经历了五个阶段,其发展顺序依次是()。A.机电型、晶体管型、整流型、集成电路型、微机型;B.机电型、整流型、集成电路型、晶体管型、微机型;C.机电型、整流型、晶体管型、集成电路型、微机型。
我国继电保护技术发展过了五个阶段，其发展顺序是（ ）A.机电型、晶体管型、整流型、集成电路型、微机型B.机电型、整流型、集成电路型、晶体管型、微机型C.机电型、整流型、晶体管型、集成电路型、微机型
为防止双回线横差方向保护或电流平衡保护在相继切除故障时，可能将非故障线路误切除，较好的措施是（）A、操作电源经双回线断路器辅助常开触点串联后加至保护装置上；B、操作电源经双回线跳闸位置中间继电器触点串联后加至保护装置上；C、操作电源经双回线合闸位置中间继电器触点串联后加至保护装置上；D、操作电源经双回线合闸位置中问继电器触点并联后加至保护装置上。
继电保护按发展阶段分类有（）A、电磁式、晶体管式、集成电路型、微机型、现代化网络型B、电磁式、集成电路型、晶体管式、微机型、现代化网络型C、磁电式、集成电路型、晶体管式、微机型、现代化网络型D、电磁式、磁电式、晶体管式、集成电路型、微机型
保护装置本体抗干扰要求正确的有（）。A、保护装置的箱体，必须经试验确证可靠接地B、所有隔离变压器（电压、电流、直流逆变电源、导引线保护等）的一二次线圈间必须有良好的屏蔽层，屏蔽层应在保护屏可靠接地C、外部引入至集成电路型或微机型保护装置的空接点，进入保护后应经光电隔离D、半导体型、集成电路型、微机型保护装置只能以空接点或光耦输出
我国继电保护技术发展过了五个阶段，其发展顺序是（）A、机电型；晶体管型；整流型；集成电路型；微机型B、机电型；整流型；集成电路型；晶体管型；微机型C、机电型；整流型；晶体管型；集成电路型；微机型
填空题集成电路型、微机型继电保护的电流、电压及信号接点引入线应采用屏蔽电缆，同时电缆的屏蔽层在（）可靠接地。