布比卡因麻醉时间可达A、6hB、2hC、4hD、5hE、1h
与重症患者交谈的时间不宜太长，应以A.5～10min为宜B.4～5min为宜C.15～20min为宜D.2～3min为宜E.10～15min为宜
轻度头盆不称者试产时间为：（）A、4～6hB、1～2hC、6～8hD、2～4hE、8～10h
按照NB/T47013.5-2015的规定，在5℃～50℃的温度条件下，渗透剂持续时间一般不应少于10min
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。A、4～6hB、50min～2hC、10～40minD、5～10min
通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。A、再分布B、等表面浓度扩散C、预淀积D、等总掺杂剂量扩散
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。A、1050～1200℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、1200～1350℃
矿山救护队驻地至服务矿井的距离，以行车时间不超过（）为限。A、20minB、30minC、40minD、50min
航行中，机动船或船队在掉头前应提前（）时间显示掉头信号。A、3minB、5minC、尽可能早些为宜D、10min
为了加快模压硫化速度，可将生胶料提前在模压机上预热（）。A、10~20minB、20~30minC、30~40minD、40~50min
测定煤中灰分时，在500℃停留（）。 A、 20minB、 30minC、 40minD、 50min
C-A001自动程序采出时全回流时间为（）A、20minB、30minC、40minD、50min
正洗时间由PLC控制时，通常为（）。A、20minB、30minC、40minD、50min
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A、600～750℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、950～1100℃
在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。A、均匀性B、表面平整度C、自由应力D、纯净度E、电容
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻
一胸脊髓损伤患者进行膀胱控制训练，其排尿的时间间隔一般控制在多长时间为宜（）A、5～6hB、1～2hC、7～8hD、4～5hE、一天4次
储风缸的水压试验持续时间为（）A、10min～20 minB、10min～30minC、20min～30minD、30min～50min
采用热套法把轴承会到轴颈上，应先将轴承放在变压器油中加热，温度为80～100℃，加热时间为（）A、5minB、10～15minC、20～40minD、50min
判断题在一个化学气相淀积工艺中，如果淀积速率是反应速率控制的，则为了显著增大淀积速率，应该增大反应气体流量。A对B错
单选题杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。A 激活杂质后B 一种物质在另一种物质中的运动C 预淀积D 高温多步退火
判断题预淀积扩散是为了提供足够的杂质总量，而再分布扩散是为了达到需要的扩散深度并同时在硅的表面获得一定厚度的氧化层。A对B错
单选题与重症患者交谈的时间不宜太长，应以（）。A2～3min为宜B4～5min为宜C5～10min为宜D10～15min为宜E15～20min为宜
判断题在硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进和激活。A对B错