电子加速器的能量大于()Mev会产生中子,在辐射屏蔽设计时,要考虑中子的影响。A、10MevB、2MevC、6MevD、8Mev

电子加速器的能量大于()Mev会产生中子,在辐射屏蔽设计时,要考虑中子的影响。

  • A、10Mev
  • B、2Mev
  • C、6Mev
  • D、8Mev

相关考题:

能量高于( )的电子加速器,在计算防护门屏蔽时应考虑其产生的中子辐射。 A.10MeVB.0.5MeVC.1MeVD.4MeV

X射线标称量超过多少MeV的加速器屏蔽设计时应考虑中子辐射防护?( ) A.20B.15C.10D.5

在中子测量中,按其能量可分为 A、慢中子,能量B、中速中子,能量为1~10keVC、中速中子,能量为1~100keVD、快中子,能量为0.1~20meVE、快中子,能量为1~20meV

在湮灭辐射的论述中,不正确的是()A、当一个粒子与其反粒子发生碰撞时,其质量全部转化为γ辐射能量B、正,反粒子发生碰撞产生γ辐射也是一种核反应C、正,负电子发生碰撞时,产生两个能量为0.511MeVγ光子D、正,负电子发生碰撞时,产生一个能量为1.022MeVγ光子E、只有静止能量的正,负电子在湮灭时,产生的两个γ光子运动方向相反

在做屏蔽计算时,会有一些保守的假设,一般不包括()A、有最大的辐射泄露B、高估工作量,使用和居留因子C、产生X射线和电子加速器,始终工作在X线模式D、双能量加速器,始终工作在高能状态E、患者位置

习惯上把能量大于()的中子称为快中子。A、0.5MevB、1.0MevC、1.5MevD、2.0Mev

钴60辐射的γ射线能量为()。A、 3 MeV、1 MeVB、 2.17 MeV、1.88 MeVC、 1.17 MeV、1.33 MeVD、 0.67 MeV、0.53 MeV

对电子加速器产生的Χ射线束,不宜用()或重过滤材料,因在()MeV时,其质量衰减系数有一最低值。

符合226镭特点的是()A、产生光子,平均能量0.83MeV,半衰期1590年B、产生光子,平均能量1.25Mer,半衰期5.27年C、产生光子,平均能量0.36MeV,半衰期74.2天D、产生电子,平均能量2.28MeV,半衰期28.1年E、产生中子,平均能量2.35MeV,半衰期2.65年

符合226镭特点的是()A、产生光子,平均能量0.83MeV,半衰期1590年B、产生光子,平均能量1.25MeV,半衰期5.27年C、产生光子,平均能量0.36MeV,半衰期74.2天D、产生电子,平均能量2.28MeV,半衰期28.1年E、产生中子,平均能量2.35MeV,半衰期2.65年

治疗室辐射防护探测应采用()A、大于10MeV的光子线B、大于15MeV的光子线C、大于15MeV的电子线D、治疗机最高能量的电子线E、治疗机最高能量的光子线

质量辐射阻止本领是韧致辐射形成中()A、产生光子的能量损失率B、产生质子的能量损失率C、产生中子的能量损失率D、产生质子或中子的能量损失率E、产生电子或正电子的能量损失率

X射线标称量超过多少MeV的加速器屏蔽设计时应考虑中子辐射防护?()A、20B、15C、10D、5

习惯上把能量在0.1MeV以上的中子叫做()A、快中子B、慢中子C、中能中子D、共振中子E、热中子

X射线标称能量超过()的加速器,屏蔽设计应考虑中子辐射防护。A、6MevB、8MevC、10MevD、18MevE、25Mev

加速器中子源的中子能量具有良好的单色性,如(d-n)反应产生的中子能量为()MeV。A、13B、14C、15D、16

中子寿命测井中子发生器向地层发射的中子能量是()。A、14eVB、14keVC、14MeVD、15MeV

碳氧比能谱测井仪的中子发生器产生能量为()的高能快中子。A、14eVB、14MeVC、14keVD、13MeV

同位素中子源的中子能量是连续的,能量主值在()MeV之间。A、2~3B、2~4C、2~5D、2~6

Am-Be中子源发出的快中子平均能量为()MeV。A、4.2B、5C、6D、14

多选题在中子测量中,按其能量可分为()。A慢中子,能量1keVB中速中子,能量为1~10keVC中速中子,能量为1~100keVD快中子,能量为0.1~20meVE快中子,能量为1~20meV

单选题符合252锎特点的是()A产生光子,平均能量0.83MeV,半衰期1590年B产生光子,平均能量1.25Mer,半衰期5.27年C产生光子,平均能量0.36MeV,半衰期74.2天D产生电子,平均能量2.28MeV,半衰期28.1年E产生中子,平均能量2.35MeV,半衰期2.65年

单选题习惯上把能量在0.1MeV以上的中子叫做()A快中子B慢中子C中能中子D共振中子E热中子

单选题钴60辐射的γ射线能量为()。A3MeV、1MeVB2.17MeV、1.88MeVC1.17MeV、1.33MeVD0.67MeV、0.53MeV

单选题可通过T(d,n)4He反应来产生()中子,这一能量的中子应用很广。A2.5MeVB14MeVC10MeVD5MeV

单选题电子加速器的能量大于()Mev会产生中子,在辐射屏蔽设计时,要考虑中子的影响。A10MevB2MevC6MevD8Mev

单选题符合252锎特点的是()A产生光子,平均能量0.83MeV,半衰期1590年B产生光子,平均能量1.25MeV,半衰期5.27年C产生光子,平均能量0.36MeV,半衰期74.2天D产生电子,平均能量2.28MeV,半衰期28.1年E产生中子,平均能量2.35MeV,半衰期2.65年

单选题X射线标称能量超过()的加速器,屏蔽设计应考虑中子辐射防护。A6MevB8MevC10MevD18MevE25Mev