通常情况下，若测得串级式电压互感器介损tgδ值很大，可能的原因（排除外界影响因素后）是（）。A、支架开裂B、线圈匝，层间短路C、受潮D、铁心夹件悬浮电位放电
一支220KV套管运行一年后，其介损tgσ值由0.37%上升至3.2%，可能的原因（）。A、电容屏产生悬浮电位B、油纸中有气泡C、严重受潮
油纸电容式套管末屏上引出的小套管是供套管介损试验和变压器局部放电试验用的。正常运行中小套管应可靠地接地。
当测到DW8—35断路器合闸对地的介损tgδ若超过规程规定，则可认为该相两支电容套管的tgδ值也超过规程值。
测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器，其主绝缘介损tgδ值为0.33%；末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%，以下几种诊断意见，其中（）哪项是错误的。A、主绝缘良好，可以继续运行B、暂停运行，进一步做油中溶解气体色谱分析及油的水分含量测试C、末屏绝缘介损超标D、不合格
测得220kV电流互感器主电容量为1000PF，介损tgδ值为0.6%，在1.15倍的额定电压下，介质的功率P约为（）。A、30WB、40WC、50WD、60W
用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时，其电容量应是整体电容量的（）。A、1/8B、1/4C、1/2D、1/6
对运行中330-500KV的油纸电容式电流互感器，第一次绕组连同套管一起的介质损耗因数tgδ在20℃时的值，规程中规定低于（）为合格。A、0.8B、1C、1.5
当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
一台DW8—35型断路器，其A相一支套管的测试介损tgδ为7.9%；落下油桶时，为6.7%；去掉灭弧室时，为5.7%。这说明该套管的绝缘是良好的。
变压器低电压试验验收进行介质损耗因数、电容量测量时，测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。A、10B、15C、20D、25
油浸电容式套管的试验项目有（）。A、绝缘电阻B、交流耐压C、电容值和介损D、油色谱分析
用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
电环境温度为20℃，测得220kV断路器油纸绝缘并联电容器介质损tgδ值为0.4%。
用介损仪反接线测量小电容量试品（＜50PF）的介损tgδ及Cx时，在附近处有物体（如梯子等）情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值（）。A、大B、相等C、小D、以上均不是
一般电气设备随着绝缘受潮其绝缘电阻下降，泄漏电流增加，介损tgδ值（）。A、增加B、不变C、减少D、以上均不是
一台LCWD2-220电流互感器主绝缘的介损tgδ值为0.33%，绝缘电阻10000MΩ，末屏对地绝缘电阻为60MΩ，介损tgδ值16.3%，是否可以继续运行（）。A、可以，主绝缘良好B、不可以，已进水受潮C、观察一段时间
小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
测量一台110kV电力变压器，高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ，当tgδ不合格时，一般表明其高压套管tgδ不合格。
进行绝缘介损测量时，当标准电容受潮而有较大介损时会使实测绝缘介损减少。（）
一支220KV套管运行一年后，其介损tgδ值由0.28%上升到4.23%，可能原因是（）。A、电容屏产生悬浮电位B、电容层间短路C、油纸中有气泡D、严重受潮
当变压器电容型套管对地绝阻低于1000MΩ时，应测量末屏对地的介损，加压（）。
电容型绝缘结构的设备，当末屏处产生悬浮电位时，介质参数的明显表征是（）。A、tgδ升高B、绝缘电阻下降C、局部放电量骤增
单选题一支220kv套管运行一年后，其介损tgδ值由0.37%上升至3.2%，可能的原因是（）。A电容屏产生悬浮电位B油纸中有气泡C严重受潮
单选题通常情况下，若测得串级式电压互感器介损tgδ值很大，可能的原因（排除外界影响因素后）是（）。A支架开裂B线圈匝，层间短路C受潮D铁心夹件悬浮电位放电
单选题一支220KV套管运行一年后，其介损tgσ值由0.37%上升至3.2%，可能的原因（）。A电容屏产生悬浮电位B油纸中有气泡C严重受潮