计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）
一支220KV套管运行一年后，其介损tgσ值由0.37%上升至3.2%，可能的原因（）。A、电容屏产生悬浮电位B、油纸中有气泡C、严重受潮
35kV变压器出厂验收时，应测量每一绕组连同套管对地及其余绕组间的介损、电容值，并将测试温度下的介损值换算到（）℃。A、18B、20C、22D、25
油纸电容式套管末屏上引出的小套管是供套管介损试验和变压器局部放电试验用的。正常运行中小套管应可靠地接地。
当测到DW8—35断路器合闸对地的介损tgδ若超过规程规定，则可认为该相两支电容套管的tgδ值也超过规程值。
测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器，其主绝缘介损tgδ值为0.33%；末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%，以下几种诊断意见，其中（）哪项是错误的。A、主绝缘良好，可以继续运行B、暂停运行，进一步做油中溶解气体色谱分析及油的水分含量测试C、末屏绝缘介损超标D、不合格
测得220kV电流互感器主电容量为1000PF，介损tgδ值为0.6%，在1.15倍的额定电压下，介质的功率P约为（）。A、30WB、40WC、50WD、60W
一支220kv套管运行一年后，其介损tgδ值由0.37%上升至3.2%，可能的原因是（）。A、电容屏产生悬浮电位B、油纸中有气泡C、严重受潮
220KV充油套管的介抽损耗因素值在20℃应不大于（）。
用未端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的介损tgδ时，其电容量应是整体电容量的（）。A、1/8B、1/4C、1/2D、1/6
当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。
绝缘体有缺陷时，其介损tgδ将随试验（）升高而变（）。
一台DW8—35型断路器，其A相一支套管的测试介损tgδ为7.9%；落下油桶时，为6.7%；去掉灭弧室时，为5.7%。这说明该套管的绝缘是良好的。
分别测得几个试品的介损值为tgδ1、tgδ2„„tgδn，则并联在一起测得的介损值为这些值中的（）。A、最小值B、平均值C、最大值D、介于最大与最小值之间
用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
一般电气设备随着绝缘受潮其绝缘电阻下降，泄漏电流增加，介损tgδ值（）。A、增加B、不变C、减少D、以上均不是
用反接线测量电磁式电流互感器的介损，一次加压，二次开路，对其测量介损tgδ值影响不大。
一台LCWD2-220电流互感器主绝缘的介损tgδ值为0.33%，绝缘电阻10000MΩ，末屏对地绝缘电阻为60MΩ，介损tgδ值16.3%，是否可以继续运行（）。A、可以，主绝缘良好B、不可以，已进水受潮C、观察一段时间
在现场采用介损仪测量设备的介损tgδ时，若存在电场干扰，则在任意测试电源极性的情况下，所测得tgδ值一定比真实的tgδ增大。
用反接线方式，测量一台110kV电流互感器主绝缘介损tgδ，如介损仪本体接地不良，与其介损测量结果无关。
小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。
用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？
用正接接线方式，测量一台110kV耦合电容器主绝缘介损tgδ，如介损仪的Cx与其耦合电容的末屏（接地小套管）接触不良，影响介损测量结果准确性。
测量一台110kV电力变压器，高压绕组对中+低压绕组及地介损损tgδ，当tgδ不合格时，一般表明其高压套管tgδ不合格。
一支220KV套管运行一年后，其介损tgδ值由0.28%上升到4.23%，可能原因是（）。A、电容屏产生悬浮电位B、电容层间短路C、油纸中有气泡D、严重受潮
问答题用QS1电桥测量110千伏套管介损tgδ值时，试验电压为10千伏，标准电容CN为50皮法，电桥平衡时，R3为345欧，计算Cx之值（R4为定值3184欧）。
单选题一支220kv套管运行一年后，其介损tgδ值由0.37%上升至3.2%，可能的原因是（）。A电容屏产生悬浮电位B油纸中有气泡C严重受潮