二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压。() 此题为判断题(对，错)。
二极管反偏时,说法正确的是( )。 A.在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流B在达到死区电压之前，反向电流很小C二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关
不属于晶体三极管极限参数的是()。 A、反向击穿电压B、反向饱和电流C、集电极最大允许电流D、集电极最大允许耗散功率
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向电流迅速增加。 () 此题为判断题(对，错)。
电阻的性能参数包括标称值、额定功率、极限工作电压、电阻温度系数、高频特性、非线性、噪声电动势以及()等。 A.生产日期B.允许偏差C.反向击穿电压D.反向击穿电流
在同一测试条件下，测得4个同型号二极管的参数，其中哪个二极管性能最好？( )A.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：8μA反向击穿电压：200VB.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：2μA反向击穿电压：200VC.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：6μA反向击穿电压：200VD.正向电流、正向电压相同：100mA反向电流、反向电压相同：10μA反向击穿电压：200V
电阻的性能参数包括标称值、额定功率、极限工作电压、电阻温度系数、高频特性、非线性、噪声电动势以及（）等。A、生产日期B、允许偏差C、反向击穿电压D、反向击穿电流
影响二极管开关速度的主要原因是（）。A、反向击穿电压B、反向电流C、反向恢复时间D、正向恢复时间
三极管的（）是用来表示三极管的电流放大能力的参数。A、电流放大系数B、穿透电流C、最大允许电流D、反向击穿电压
三极管的主要参数是（）。A、电流放大系数βB、穿透电流ICEO C、集电极最大允许电流ICMD、集电极最大允许耗散功率PCM E、反向击穿电压U（BR）CEO
当晶体管上的反向电压高于某值，反向电流会突然增大，这个电压叫（）。A、死区电压B、反向击穿电压
二极管所允许的最高反向工作电压的峰值等于反向击穿电压。（）
可控硅具有反向阻断峰值电压规定比反向击穿电压小（）V。
二极管反偏时，以下说法正确的是（）A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流B、在达到死区电压之前，反向电流很小C、二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关D、在达到反向击穿电压之前通过电流很大，称为反向饱和电流
稳压管的稳定电压和稳定电流，指的是（）。A、正向稳定电压B、反向击穿电压C、稳压管允许通过的最大电流D、两端为稳压值时流过的正向电流E、两端为稳压值时流过的反向电流
三极管的主要参数有（）。A、电流放大系数B、极间反向电流C、特征频率D、集电极最大允许电流E、集电极最大允许耗散功率F、反向击穿电压
当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反中向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。（）
当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（）。A、集电极最大允许功耗ＰＣＭB、集电极最大允许电流ＩＣＭC、集－基极反向击穿电压Ｕ（ＢＲ）ＣＢＯ
PN结反向击穿电压的数值增大，小于击穿电压，（）。A、其反向电流增大B、其反向电流减小C、其反向电流基本不变
稳压二极管与普通二极管的区别包括（）、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态。
三极管超过（）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICMB、集-射极间反向击穿电压U（BR）CEOC、管子的电流放大倍数βD、集电极最大允许耗散功率PCM
晶体三极管的主要参数有（），集电极最大允许耗散功率。A、电流放大系数B、穿透电流C、集电极最大允许电流D、集射极反向击穿电压
只允许电流单方向通过的性质叫（）。（）管具有这种性质，其特点是正向电阻（），反向电阻（）
单选题电阻的性能参数包括标称值、额定功率、极限工作电压、电阻温度系数、高频特性、非线性、噪声电动势以及（）等。A生产日期B允许偏差C反向击穿电压D反向击穿电流
单选题三极管的（）是用来表示三极管的电流放大能力的参数。A电流放大系数B穿透电流C最大允许电流D反向击穿电压
填空题稳压二极管与普通二极管的区别包括（）、反向击穿电压较低、允许通过的电流较大、工作正常时处于反向击穿状态。