对RTP来说,很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后,滑移现象变得更为严重,这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的?

对RTP来说,很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后,滑移现象变得更为严重,这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的?


相关考题:

金属在冷态下的塑性变形过程中,由于晶粒滑移产生碎晶和晶格歪扭和畸变,使滑移受阻(),从而变形抗力增大。 A、增大B、减小C、不变D、任意

实际上滑移是借助于位错的移动来实现的,故晶界处滑移阻力最小。此题为判断题(对,错)。

实践证明,多晶体金属不论发生滑移、孪晶还是晶间变形,只有切应力达到临界值时才有实现的可能。() 此题为判断题(对,错)。

滑移是材料在切应力作用下,沿一定的晶面(滑移面)和晶向(滑移方向)进行切变过程。()

晶体在()作用下,其中一部分沿着一定的晶面和晶向,相对于另一部分发生位移的现象叫滑移。A、切应力B、压应力C、拉应力D、正应力

实际金属晶体的塑性变形方式为()。 A、滑移B、孪晶C、蠕变D、滑移+孪晶

晶体的滑移是晶体中的()在切应力的作用下沿着滑移面逐步移动的后果。A、空位B、晶界C、间隙原子D、位错

沾污引起的电学缺陷引起(),硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。A、不会影响成品率B、晶圆缺陷C、成品率损失D、晶圆损失

滑移只能在()应力的作用下发生,并在()晶面和()晶向上进行。

实验证明,多晶体金属不论发生滑移,挛晶还是晶间变形,只有切应力达到临界值时,才有实现的可能。

晶体中能够发生滑移的晶向称为()。

金属晶体在外力作用下,沿一定的晶面和晶向产生相对移动的现象称为()A、孪生B、滑移C、屈服D、剪切

金属晶体在外力作用下,沿一定的晶面和晶向产生相对移动的现象称为()。A、孪生B、滑移C、屈服

产生滑移的晶向称之为()。 A、滑移面B、滑移方向C、滑移带D、滑移线

集成电路的主要制造流程是()A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试

多晶体的塑性变形的主要形式可以简述为()A、仅滑移变形B、晶内滑移变形和晶间的移动和转动C、整体协调变形

试述孪晶与滑移的异同,比较它们在塑性变形过程中的作用。

塑料形变是材料在切应力作用下,沿一定的切变而产生的滑移()。A、晶向、晶面B、晶面、晶向C、晶面、晶面

金属塑性变形的基本方式是()。A、滑移B、孪生C、晶界D、亚晶界

单选题多晶体的塑性变形的主要形式可以简述为()A仅滑移变形B晶内滑移变形和晶间的移动和转动C整体协调变形

单选题塑料形变是材料在切应力作用下,沿一定的切变而产生的滑移()。A晶向、晶面B晶面、晶向C晶面、晶面

问答题什么是晶圆?晶圆的材料是什么?

判断题实际上滑移是借助于位错的移动来实现的,故晶界处滑移阻力最小。A对B错

多选题金属塑性变形的基本方式是()。A滑移B孪生C晶界D亚晶界

单选题集成电路的主要制造流程是()A硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试B硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路C晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路D硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试

问答题简述孪晶和滑移的特点?

单选题产生滑移的晶向称之为()A滑移面B滑移方向C滑移带D滑移线