判断题实际上滑移是借助于位错的移动来实现的,故晶界处滑移阻力最小。A对B错

判断题
实际上滑移是借助于位错的移动来实现的,故晶界处滑移阻力最小。
A

B


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相关考题:

塑性变形的主要形式是()。 A、孪晶B、滑移C、位错D、结晶

DEA是快速平滑移动平均线与慢速平滑移动平均线的差。( )

实际上滑移是借助于位错的移动来实现的,故晶界处滑移阻力最小。此题为判断题(对,错)。

滑移是材料在切应力作用下,沿一定的晶面(滑移面)和晶向(滑移方向)进行切变过程。()

金属单晶体的塑性变形方式为()。 A、滑移B、孪晶C、位错D、A或B

实际金属晶体的塑性变形方式为()。 A、滑移B、孪晶C、蠕变D、滑移+孪晶

晶体的滑移是晶体中的()在切应力的作用下沿着滑移面逐步移动的后果。A、空位B、晶界C、间隙原子D、位错

对RTP来说,很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后,滑移现象变得更为严重,这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的?

单晶体的滑移,实际上是位错的移动。

产生滑移的晶向称之为()。 A、滑移面B、滑移方向C、滑移带D、滑移线

多晶体的塑性变形的主要形式可以简述为()A、仅滑移变形B、晶内滑移变形和晶间的移动和转动C、整体协调变形

超塑性不靠滑移进行,而是由晶界的滑动和晶粒的转动所致。

晶体的滑移实际上就是位错运动的结果。()

金属塑性变形的基本方式是()。A、滑移B、孪生C、晶界D、亚晶界

单选题在晶体滑移过程中()A由于位错不断移出滑移面,位错密度随形变量的增加而减少B由于位错的增殖,位错密度随形变量的增加而增高C由于晶界不断吸收位错,位错密度随形变量的增加而减少D由于位错的消失(移出滑移面)和增殖的共同作用,位错的密度基本不变

判断题超塑性不靠滑移进行,而是由晶界的滑动和晶粒的转动所致。A对B错

单选题多晶体的塑性变形的主要形式可以简述为()A仅滑移变形B晶内滑移变形和晶间的移动和转动C整体协调变形

判断题滑移是借助位错的移动来实现的。A对B错

判断题滑移不是借助位错的移动来实现的。A对B错

多选题金属塑性变形的基本方式是()。A滑移B孪生C晶界D亚晶界

单选题位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移,其中()。A螺位错只作滑移,刃位错既可滑移又可攀移B刃位错只作滑移,螺位错只作攀移C螺位错只作攀移,刃位错既可滑移又可滑移D螺位错只作滑移,刃位错只作攀移

填空题实际上滑移是借助于()的移动来实现的。

问答题某滑移面上一个位错源开动释放出的位错在晶界处形成位错塞积群对该位错源的开动有何影响,为什么?

判断题晶体的滑移实际上就是位错运动的结果。()A对B错

填空题位错是在滑移面上局部滑移区的边界,位错分为刃位错和螺位错,刃位错的方向与滑移的方向(),螺位错的方向与滑移的方向()。

单选题产生滑移的晶向称之为()A滑移面B滑移方向C滑移带D滑移线

判断题当位错线与滑移矢量垂直时,这样的位错称为刃位错,如果位错线与滑移矢量平行,称为螺位错。A对B错