场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将( )。 A.增大B.不变C.减小
GTR的β值反映了基极电流对集电极电流的控制能力。()
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将() A.增大B.不变C.减小D.不确定
场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。 A.原极；B.漏极；C.栅极；
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的。A、电流B、电场C、电压
场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
已知三极管的ICQ=1mA，则在常温下跨导gm为（）A、19.2msB、38.5msC、77msD、154ms
跨导gm反映了场效应管（）对（）控制能力，其单位为（）或（）。
场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。A、原极；B、漏极；C、栅极；
场效应管的漏极电流ID从1A增加到3A，它的跨导将（）。A、增大B、减小C、不变
衡量场效应管控制能力的主要参数是（）A、电流放大倍数B、电压放大倍数C、跨导D、转移电阻
场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
场效应管是通过改变（）来改变漏极电流的，所以是一个（）控制的（）器件。
场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
场效应管跨导gm表示（）对漏电流iD的控制能力的强弱。
场效应管是利用外加电压产生的（）来控制漏极电流的大小的，因此，称它为（）控制电流的器件。
当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）。A、增大B、不变C、减小
场效应晶体管的主要参数有（）A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流
场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
当场效应晶体管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）A、增大B、不变C、减小D、无法确定
判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错
单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A栅极电流B栅源电压C漏源电压D栅漏电压
单选题场效应管是以（）控制漏极电流ID。AUDGBUDSCUGSDIGS
填空题MOSFET的跨导的定义是（），反映了（）对（）的控制能力。