用QS-1型西林电桥反接线测量时,试验电压不能超过()KV,而正接线测量时却()限制。

用QS-1型西林电桥反接线测量时,试验电压不能超过()KV,而正接线测量时却()限制。


相关考题:

在相同条件下,用QSl西林电桥测量小电容试品的tgδ和Cx时,用正接线方法和反接线方式测量的结果是完全相同的。( )

QSl型西林电桥反接线时电桥桥体处于高电位。( )

QSl西林电桥侧接线的测量准确度很高。( )

西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错

采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。A对B错

西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。

用直流电桥测量电阻时,其测量结果中,()。A、单臂电桥应考虑接线电阻,而双臂电桥不必考虑;B、双臂电桥应考虑接线电阻,而单臂电桥不必考虑;C、单、双臂电桥均应考虑接线电阻;D、单、双臂电桥均不必考虑接线电阻。

用直流双臂电桥测量小电阻时,其被测电阻值与()有关。A、标准电压B、桥臂电阻C、接线电阻D、接触电阻

西林电桥采用正接线时,电桥处于低电压,操作比较安全,电桥内部不受()影响,但被试品对地必须绝缘。A、大电流B、高电压C、强电场D、磁场

使用QS1型交流电桥测量tanØ时,现场采用排除电场干扰的方法有以下几种()A、提高试验电压B、采用正接线方法C、用电桥内部“选相”、“倒相”法接线,排除干扰源对电源相位的干扰D、在被试设备上加装屏蔽罩

使用QS1型交流电桥测量tanØ时,造成-tanØ值出现的原因有()A、温度影响B、强电场干扰C、测量中接线错误D、测量有抽取电压装置的电容式套管时,套管表面脏污

用电桥测量电阻时,均不许带电测试,测量时必须将被测电阻与其它所有接线断开,单独测量。

采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。

采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度()。A、低B、高C、相等

西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A、正接线B、反接线C、交叉接线

为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用正接线好?

在相同条件下,用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

用QS1型交流电桥测量110kV级以上电流互感器介损tgδ时,当具备电压等级足够的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。A、10kVB、1.1倍相电压C、2.2倍相电压D、线电压

用QS1型交流电桥测量110kV及以上电流互感器介损tgδ值时,当具备电压等级足够高的标准电容器时,按正接法测量,试验电压最高可加到()。A、10KvB、1.1倍相电压C、线电压

判断题采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度低。A对B错

单选题西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A正接线B反接线C交叉接线

判断题在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。A对B错

判断题西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错

判断题QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。A对B错

单选题采用QS1电桥测量tanδ,正接线比反接线准确度()。A低B高C相等