单选题西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A正接线B反接线C交叉接线

单选题
西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品不能与地隔离时的测量。
A

正接线

B

反接线

C

交叉接线


参考解析

解析: 暂无解析

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QSl型西林电桥正接线适用于被试品一端接地的情况。( )

当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错

西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错

当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A对B错

西林电桥测试tanδ时,升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。A对B错

用电桥法测量直流电阻,当被测试电阻在10Ω以上时,一般采用()法测量。A、单臂电桥B、双臂电桥C、西林电桥

西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。

西林电桥测试tanδ时,升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。

使用QS1型交流电桥测量tanØ时,温度对tanØ测量结果影响很大。绝大多数情况下,对同一被试设备,其tanØ随温度的升高而减少。

使用QS1型交流电桥测量tanØ时,现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种()A、把电桥移到磁场以外去测量B、使检流计极性转换开关处于两种不同位置时,调节电桥平衡,求得每次平衡时的tanØ值和电容值,取两次的平均值为tanØ值C、提高试验电压D、在被试设备上加装屏蔽罩

西林电桥采用正接线时,电桥处于低电压,操作比较安全,电桥内部不受()影响,但被试品对地必须绝缘。A、大电流B、高电压C、强电场D、磁场

当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。

适用QSI型西林电桥测量试品tg∮,接通或断开电源时,检流计灵敏度应在中间位置。

为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用正接线好?

QS1型交流电桥测量时,影响tanØ测量值因素主要有()A、电场干扰B、温度影响C、被试设备局部绝缘缺陷的影响D、测量电压的影响

用电桥法测量直流电阻,当被试电阻在10Ω以上时,一般采用()测量。A、单臂电桥B、双臂电桥C、西林电桥

用电桥法测量直流电阻,当被试电阻在10以上时,一般采用()测量。A、单臂电桥B、双臂电桥C、西林电桥D、兆欧表

用电桥法测量直流电阻,当被测试电阻在10Ω以上时,一般采用()法测量。A、单臂电桥B、双臂电桥C、西林电桥D、以上都不对

用电桥法测量直流电阻,当被测试电阻在10Ω以上时,一般采用()法测量。A、单臂电桥B、双臂电桥C、西林电桥D、都不对

判断题西林电桥测试tanδ时,升压试验一般采用电压等级为110kV的电压互感器。A对B错

单选题用西林电桥测量介质损耗角正切值时,采用反接法()。A可以试品一端接地B试品设在高压端C不适用于现场试验D操作方便

判断题西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A对B错

单选题用西林电桥测量介质损耗角正切值时,采用正接法()。A需要试品两端对地绝缘B试品设在低压端C适用于现场试验D需要注意操作人员安全

填空题西林电桥测试ta118时采用()时适用于试品整体与地隔离时的测量。

单选题西林电桥测试tanδ时采用()时适用于被试品不能与地隔离时的测量。A正接线B反接线C交叉接线

判断题当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A对B错

判断题当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错