电力MOSFET是一种只有一种载流子参与单导的单极型电压控制的全控器件,分为结型和绝缘栅型两类,常说电力MOS管,指的是绝缘栅管。

电力MOSFET是一种只有一种载流子参与单导的单极型电压控制的全控器件,分为结型和绝缘栅型两类,常说电力MOS管,指的是绝缘栅管。


参考答案和解析
电力MOSFET是单极型半导体器,其内部只有一种载流子参与导电。;电力MOSFET是多元集成结构。;电力MOSFET分为增强型和耗尽型两种类型

相关考题:

在下列三种电力电子器件中,属于电压控制型的器件是() A、绝缘栅双极晶体管B、电力晶体管C、晶闸管

绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。() 此题为判断题(对,错)。

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管

按照电力电子器件内部自由电子和空穴两种载流子参与导电的情况,可将电力电子器件分为( )。A、简单型器件B、单极型器件C、双极型器件D、复合型器件

IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式

功率开关器件可以说是开关电源的心脏,下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的()。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管

已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等

TTL“与非”门电路是以()为基本元件构成的。A、双极型三极管B、双极型绝缘栅C、单极型三极管D、单极型绝缘栅

场效应管的类型有()。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

场效应管按结构分为结型和()。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管

绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是()。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”

常用的电力电子器件有:()。A、双极晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力MOS场效应管D、门极关断晶闸管E、场控晶闸管

绝缘栅双极晶体管属于()型器件。A、电阻B、电压C、电流D、电容

电力电子器件P-MOSFET为()器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型

在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。

具有锁定效应的电力电子器件是()。A、电力晶体管B、晶闸管C、可关断晶闸管D、绝缘栅双极型晶体管

IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件,它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。

单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为()AP沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

多选题电力电子器件P-MOSFET为()器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型

多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于()器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型

填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

单选题具有锁定效应的电力电子器件是()。A电力晶体管B晶闸管C可关断晶闸管D绝缘栅双极型晶体管

判断题绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。A对B错

多选题常用的电力电子器件有:()。A双极晶体管B绝缘栅双极晶体管C电力MOS场效应管D门极关断晶闸管E场控晶闸管

单选题绝缘栅双极晶体管属于()型器件。A电阻B电压C电流D电容

判断题绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。A对B错