导通后二极管两端电压变化很小,硅管约为()。 A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
硅二极管两端正向偏置电压大于多少时，二极管才能导通。A、0VB、0.5VC、0.7V
硅二极管的正向导通电压是( )。A.0.3VB.0.6VC.1V
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。
在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
硅二极管的正向导通压降约为（）A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
常温下，硅二极管的正向导通压降为（）。A、0.3V；B、0.7V；C、1V
单选题锗二极管导通时，它两端电压约为（）。A1VB0.7VC0.3VD0.5V
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A对B错