锗 (硅)二极管的正向电压降大小的范围是

锗 (硅)二极管的正向电压降大小的范围是


参考答案和解析
0.2~0.3(0.6-0.7)V

相关考题:

硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。() 此题为判断题(对,错)。

在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。

硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。

为什么二极管具有单向导电性?硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少?

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。A、大B、小C、相等D、无法判定

锗二极管正向电压超过0.2伏左右,硅管超过0.5伏左右,正向电流很快上升。

二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。

二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()

在判断被测二极管是硅管还是锗管,一般情况下是通过测量()来判断的。A、正向电阻B、正向电流C、反向电阻D、正向导通电压

实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取(),锗管一般为()。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()

常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

硅管的正向导通压降大于锗管。

在工程估算中,硅二极管的正向导通电压取()V,锗二极管的正向导通电压取()V。

在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。

二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()

二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。

锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。

为什么二极管具有单向导电性?硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少伏?

硅二极管的正向电阻()锗二极管的正向电阻。A、大于B、小于C、等于D、无法确定

单选题在判断被测二极管是硅管还是锗管,一般情况下是通过测量()来判断的。A正向电阻B正向电流C反向电阻D正向导通电压

填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。

填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

填空题硅二极管的正向电压降一般为()左右;锗二极管的正向电压一般为()左右。