霍尔元件产生的霍尔电压为（ ）级。A.mvB.vC.kvD.μv
在霍尔式压力传感器中，不影响霍尔系数大小的参数是（ ）。 A． 霍尔片的厚度B． 霍尔元件材料的电阻率C． 材料的载流子迁移率D． 霍尔元件所处的环境温度
利用霍尔效应制作的霍尔元件．广泛应用于测量和自动控制等领域。下图是霍尔原理工作图，磁感应强度为B，磁场方向垂直于霍尔元件的工作面向里，通入图示方向的电流为I，a、b两侧面会形成电势差。下列正确的是（ ）。A．若霍尔元件的载流子是正电荷，a侧电势高于b侧B．若霍尔元件的载流子是负电荷，a侧电势高于b侧C．无论霍尔元件的载流子是正、负电荷。a侧电势均高于b侧D．霍尔元件给定后，霍尔电压反比于磁感应强度B和通人的电流，的大小
霍尔式晶体管点火系，其点火信号发生器是采用（）的原理制成的。A、霍尔电器B、霍尔元件C、霍尔电压D、霍尔效应
用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时，霍尔电压的大小：（）A、与霍尔材料的性质无关；B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比；C、与霍尔片上的工作电流的大小成反比；D、与霍尔片的厚度成正比
霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于（）.A、霍尔元件的材质B、元件的尺寸C、控制电流iD、元件所在磁场的磁感应强度E、电流i与磁场方向的夹角
霍尔式曲轴位置传感器是利用触发叶片或齿轮改变通过霍尔元件的磁场强度，使霍尔元件产生脉冲的霍尔电压信号，经放大整形而输出信号的。（）
霍尔式曲轴位置传感器利用触发叶片改变通过霍尔元件的磁场强度，从而使霍尔元件产生脉冲的霍尔（）信号，即为曲轴位置传感器的输出信号。A、光敏B、电阻C、电压
霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。
霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E，其大小与（）所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比。A、半导体材料B、霍尔片的几何尺寸C、所加电压的频率D、磁场方向
霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。
霍尔电势的大小正比于（）和（）。对霍尔元件可采用（）驱动和（）驱动。
在霍尔效应中，霍尔电压的大小：（）A、与励磁电流无关B、与霍尔片上的工作电流的大小成正比C、与外加磁场的磁感应强度的大小成反比D、与霍尔材料的性质无关
用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时，霍尔电压的大小：（）A、与霍尔材料的性质无关B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比C、与霍尔片上的工作电流Is的大小成反比D、与霍尔片的厚度d成正比
霍尔元件产生的霍尔电压为（）级。A、mVB、VC、kVD、μV
霍尔电压UH与（）成正比。A、控制电流IB、霍尔元件的面积SC、磁感应强度BD、以上三者
当把一个有电流通过的霍尔元件放在磁场方向与电流方向垂直的磁场中时，在该元件与电流方向垂直的横向侧边上就会产生一个微弱电压，这个电压叫做霍尔电压。
霍尔电压与下列哪个因素有关（）。A、材料性质B、元件尺寸C、控制电流D、磁场强度
霍尔灵敏度表示一个霍尔元件在单位控制电流和单位磁感应强度时产生的霍尔电压的大小。
什么是霍尔效应？霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关？霍尔元件常采用什么材料？为什么？
霍尔传感器产生的霍尔电压大小，与（）有关。A、磁场方向B、磁场的强弱C、输入电压D、磁场内导线的长度
霍尔元件所产生的霍尔电势与元件所在磁场的磁感应强度有关。
多选题霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于（）.A霍尔元件的材质B元件的尺寸C控制电流iD元件所在磁场的磁感应强度E电流i与磁场方向的夹角
多选题霍尔电压UH与（）成正比。A控制电流IB霍尔元件的面积SC磁感应强度BD以上三者
单选题在霍尔式压力传感器中，不影响霍尔系数大小的参数是（ ）。[2007年真题]A霍尔片的厚度B霍尔元件材料的电阻率C材料的载流子迁移率D霍尔元件所处的环境温度