霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E,其大小与()所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比。A、半导体材料B、霍尔片的几何尺寸C、所加电压的频率D、磁场方向

霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E,其大小与()所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比。

  • A、半导体材料
  • B、霍尔片的几何尺寸
  • C、所加电压的频率
  • D、磁场方向

相关考题:

在霍尔式压力传感器中,不影响霍尔系数大小的参数是(  )。 A. 霍尔片的厚度B. 霍尔元件材料的电阻率C. 材料的载流子迁移率D. 霍尔元件所处的环境温度

霍尔式压力传感器利用霍尔元件将压力所引起的弹性元件()转换为霍尔电势实现压力测量。A、变形B、弹力C、电势D、位移

霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于().A、霍尔元件的材质B、元件的尺寸C、控制电流iD、元件所在磁场的磁感应强度E、电流i与磁场方向的夹角

霍尔片式压力传感器是如何利用霍尔效应实现压力测量的?

电气式压力变送器由压力传感器和转换器两部分组成,而压力传感器又可分为()。A、霍尔片式压力传感器和活塞式压力传感器B、霍尔片式压力传感器和电接点式压力传感器C、霍尔片式压力传感器、液压片式压力传感器和应变片式压力传感器D、霍尔片式压力传感器、应变片式压力传感器、压阻式压力传感器和电容式压力传感器

霍尔片式压力传感器是利用霍尔元件将由压力所引起的弹性元件的()转换成霍尔电势,从而实现压力测量。A、变形B、弹力C、电势D、位移

霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。

霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。

霍尔电势的大小正比于()和()。对霍尔元件可采用()驱动和()驱动。

关于霍尔电势下列说法正确的是()。A、霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度B、霍尔电势的灵敏度与霍尔常数R成正比C、霍尔电势与霍尔元件的厚度d成反比D、以上说法都对

简述霍尔电势产生的原理。

霍尔元件不等位电势产生的因素有哪些?怎样补偿?霍尔元件的温度补偿方法有哪些?例举霍尔传感器的应用。

什么叫霍尔效应、霍尔电势和霍尔元件?霍尔元件采用何种材料?由什么组成?霍尔元件能够测量哪些物理参数?霍尔元件的不等位电势的概念是什么?温度补偿的方法有哪几种?

什么是霍尔效应?霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关?霍尔元件常采用什么材料?为什么?

什么是霍尔效应?霍尔电势的大小与方向和哪些因素有关?影响霍尔电势的因素有哪些?

磁电式传感器是利用()产生感应电势的。而霍尔式传感器为()在磁场中有电磁效应(霍尔效应)而输出电势的。霍尔式传感器可用来测量()。

霍尔元件不等位电势产生的原因有哪些?

简述霍尔片不等位电势的产生原因?减少不等位电势的方法?

什么是霍尔电势?霍尔电势与哪些因素有关?

霍尔元件所产生的霍尔电势与元件所在磁场的磁感应强度有关。

问答题简述霍尔电势产生的原理。

多选题霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于().A霍尔元件的材质B元件的尺寸C控制电流iD元件所在磁场的磁感应强度E电流i与磁场方向的夹角

单选题霍尔效应中,霍尔电势与()A霍尔常数成正比B霍尔常数成反比C霍尔元件的厚度成正比

填空题霍尔电势的大小正比于()和()。对霍尔元件可采用()驱动和()驱动。

问答题什么是霍尔电势?霍尔电势与哪些因素有关?

单选题下列关于霍尔效应描述中,正确的是()。A霍尔系数的大小反映了霍尔效应的强弱,由材料的物理性质决定B霍尔系数越大,霍尔电势越小C霍尔元件的厚度越大,霍尔电势越大D磁场的磁感应强度越大,霍尔电势越小

填空题霍尔传感器的霍尔电势UH为()若改变()或()就能得到变化的霍尔电势。