在电路中电流的大小是( )A.与电压成正比,与电阻成正比B.与电压成反比,与电阻成正比C.与电压成正比,与电阻成反比D.与电压与反比,与电阻成正比
在对称三相非正弦星接电路中,线电压与相电压有效值的关系是()。(A)UL=√3Uh; (B)UL>√3Uh; (C)UL(D)UL=3Uh。
132、在对称三相非正弦星接电路中,线电压与相电压有效值的关系是(C)。(A)UL=Uh;(B)UL>Uh;(C)UL
在对称三相非正弦星接电路中,线电压与相电压有效值的关系是(C)。(A) UL= Uh; (B) UL> Uh; (C) UL
霍尔电压与基片的厚度()。A、成反比B、成正比C、无关D、成倍数增长
用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时,霍尔电压的大小:()A、与霍尔材料的性质无关;B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比;C、与霍尔片上的工作电流的大小成反比;D、与霍尔片的厚度成正比
霍尔电压UH的大小与控制电流I及磁感应强度B成正比。
霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。
霍尔片式压力传感器产生的霍尔电势E,其大小与()所通过的控制电路I和磁感应强度B成正比。A、半导体材料B、霍尔片的几何尺寸C、所加电压的频率D、磁场方向
霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。
在霍尔效应中,霍尔电压的大小:()A、与励磁电流无关B、与霍尔片上的工作电流的大小成正比C、与外加磁场的磁感应强度的大小成反比D、与霍尔材料的性质无关
用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时,霍尔电压的大小:()A、与霍尔材料的性质无关B、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比C、与霍尔片上的工作电流Is的大小成反比D、与霍尔片的厚度d成正比
霍尔电压UH与()成正比。A、控制电流IB、霍尔元件的面积SC、磁感应强度BD、以上三者
关于霍尔电势下列说法正确的是()。A、霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度B、霍尔电势的灵敏度与霍尔常数R成正比C、霍尔电势与霍尔元件的厚度d成反比D、以上说法都对
用霍尔法测直流磁场的磁感应强度时,霍尔电压的大小()A、与霍尔片的厚度d成正比B、与霍尔片上的工作电流Is的大小成正比C、与外加磁场的磁感应强度的大小成正比D、与霍尔材料的性质无关
霍尔效应中,霍尔电势与()A、激磁电流成反比B、工作电流成反比C、磁感应强度成正比D、试样厚度成正比
霍尔电压的大小与电流和磁感应的乘积成正比,与()成反比。
当通过的电流为一定值时,霍尔电压与()。A、磁感应强度成反比B、磁感应强度成正比C、与磁通成正比D、与磁通成反比
在电流一定时,霍尔电压的大小与磁通密度(),且与磁通的变化率无关。这也就是说,在电流一定的情况下,只要改变磁通密度,就可以改变霍尔电压的大小,霍尔信号发生器就是基于此原理制成的。A、成反比B、成正比C、无关D、有关
在电路中电流的大小是()。A、与电压成正比,与电阻成正比B、与电压成反比,与电阻成正比C、与电压成正比,与电阻成反比D、与电压与反比,与电阻成正比
在电流一定时,霍尔电压的大小与磁通密度成正比,与磁通的变化率关系()。A、成反比B、成正比C、相等D、无关
判断题霍尔电压UH的大小与控制电流I及磁感应强度B成正比。A对B错
单选题霍尔效应中,霍尔电势与()A霍尔常数成正比B霍尔常数成反比C霍尔元件的厚度成正比
填空题霍尔传感器的霍尔电势UH为()若改变()或()就能得到变化的霍尔电势。