PN结反向偏置时 () A、P区接电源正极，N区接电源负极B、N区接电源正极， P区接电源负极C、反向电流较大D、反向电流较小
晶体二极管实际上是把一个PN结两端加上引线的半导体器件,其中()。 A、P区为正，N区为负B、N区为正，P区为负C、P区、N区皆为负D、P区、N区皆为正
PN结加正向偏置是指()。 A.P区接电源负极，N区接电源正极B.P区接电源正极，N区接电源负极C.P区和N区都接电源正极
PN结P区的电位高于N区的电位称为（），简称正偏，此时电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大。A、加反向电压B、加反向电流C、加正向电压D、加正向电流
二极管的正极与PN结的P区连接，负极与PN结的N区相连。
PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。A、正向B、反向C、零
二极管符号中的箭头总是（）.A、由N区指向P区B、由P区指向N区C、由高电位指向低电位D、由低电位指向高电位
PN结加正向电压是指（），当PN所承受正向电压大于起始电压时，PN结导通A、P区接电源正极B、P区接电源负极C、N区接电源正极D、N区接电源负极
PN结可看成一个电容、空间电荷区域相当于介质、P区和N区则为导体。（）
如果在PN结的两端加一个电压，其方向是（）这个外加电压称为反向电压。A、“P区接正N区接负”B、“P区接负N区接正”C、与电流同向D、与电流反向
PN结反向偏置时，应该是N区的电位比P区的电位（）。
PN结呈现正向导通的条件是：（）A、P区电位低于N区电位B、N区电位低于P区电位C、P区电位等于N区电位D、都不对
PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
PN结正向偏置是指P区接电源（）极，N区接电源（）极。
PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区，这种接法称为（）或（）。
使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。
和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变（）；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变（）
使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
PN结的P区接电源负极，N区接电源正级，称为（）偏置接法。A、正向B、反向C、零D、击穿
填空题PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（）.
单选题PN结呈现正向导通的条件是：（）AP区电位低于N区电位BN区电位低于P区电位CP区电位等于N区电位D都不对
单选题PN结光生伏特效应（）。A电子集中的P区B电子集中的N区结表面C电子集中的P区表面D电子集中的N区表面
单选题当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对。在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负，这种效应称为光生伏特效应。AP区；BN区；C结区；D中间区。
单选题光生伏特效应是指当半导体PN结受光照射时，光子在（）激发出电子－空穴对，在自建电场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，使P区和N区两端产生电位差，P端为正，N端为负AP区BN区C中间区D结区
判断题未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。A对B错