测量35kV及以上全绝缘的电压互感器的介损tgδ，其绕组一次首尾端短接后加压，其余绕组首尾端短路接地，此方法一般称为（）。A、常规法（短路法）B、激磁法C、间接法D、末端加压法
测量35kV及以上全绝缘的电压互感器的介损tgδ，其绕组一次首尾端短接后加压，其余绕组首尾端短路接地，此方法一般称为（）。
- A、常规法（短路法）
- B、激磁法
- C、间接法
- D、末端加压法
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采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时，其值主要反映（）A、全部绕组的绝缘状态B、1/2绕组的绝缘状态C、1/4绕组绝缘状态D、只反映下部铁芯绕组绝缘状态，即110V级1/2绕组、220kV级1/4绕组的绝缘状态
测得一台LCWD2—110型110kV电流互感器，其主绝缘介损tgδ值为0.33%；末屏对地的介损介损tgδ值为16.3%，以下几种诊断意见，其中（）哪项是错误的。A、主绝缘良好，可以继续运行B、暂停运行，进一步做油中溶解气体色谱分析及油的水分含量测试C、末屏绝缘介损超标D、不合格
测量互感器绕组的绝缘电阻，应符合下列规定（）A、测量一次绕组对二次绕组及外壳、各二次绕组间及其对外壳的绝缘电阻；绝缘电阻不宜低于100MΩ；B、测量电流互感器一次绕组段间的绝缘电阻，绝缘电阻不宜低于1000MΩ，但由于结构原因而无法测量时可不进行；C、测量电容式电流互感器的末屏及电压互感器接地端（N）对外壳（地）的绝缘电阻，绝缘电阻值不宜小于1000MΩ。若末屏对地绝缘电阻小于1000MΩ时，应测量其tanδ；D、绝缘电阻测量应使用2500V兆欧表。E、以上内容均符合。
用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况A、一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B、处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C、处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D、上下铁芯支架
单选题用末端屏蔽法测量220kV串级式电压互感器的tgδ，在试品底座法兰对地绝缘，电桥正接线、Cx引线接试品x、xD及底座条件下，其测得值主要反映（）的绝缘状况A一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地B处于下铁芯下芯柱的1／4一次绕组及下铁芯支架对二次绕组及地C处于下铁芯下芯柱的的1／4一次绕组端部对二次绕组端部之间的及下铁芯支架对壳之间D上下铁芯支架