P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
下列关于P型半导体的说法正确的是()。A、自由电子`数大于空穴总数B、空穴总数远大于自由电子数C、自由电子成为多数载流子D、空穴成为少数载流子
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）A、无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电
N型半导体中的自由电子多于空穴，而P型半导体中的空穴多于自由电 子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？
N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
半导体自由电子数远多于空穴数称为电子型半导体，简称N型半导体。
P型半导体中，电子数目与空穴数目相比（）。A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为3：2
P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A、空穴；空穴B、空穴；自由电子C、自由电子；空穴D、自由电子；自由电子
在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
在P型半导体和N型半导体的接合部会产生一个区域，它（）。A、有自由电子，没有空穴B、没有自由电子，有空穴C、有自由电子，有空穴D、没有自由电子，没有空穴
本征半导体温度升高以后（）。A、自由电子增多，空穴数基本不变B、空穴数增多，自由电子数基本不变C、自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
P型半导体中的空穴数目多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为（）A、负电B、正电C、电中性
本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子
半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
半导体的自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
半导体中的空穴和自由电子数相等，这样的半导体称为（）。A、P型半导体B、本征半导体C、N型半导体D、PN结
问答题N型半导体中的自由电子多于空穴，而P型半导体中的空穴多于自由电 子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？
单选题关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）A无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴BP型半导体中只有空穴导电CN型半导体中只有自由电子参与导电D在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电
单选题在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子，多子（空穴）的数量＝（）＋少子（自由电子）的数量。A正离子数B负离子数C质子D原子
单选题P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A空穴；空穴B空穴；自由电子C自由电子；空穴D自由电子；自由电子