接触法探伤中，入射面显示波也称为（）。A、发射脉冲B、始脉冲C、基面反射波D、一次发射波

接触法探伤中，入射面显示波也称为（）。

  • A、发射脉冲
  • B、始脉冲
  • C、基面反射波
  • D、一次发射波

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将两个探头,分别放在被检工件相对的表面上进行探伤的方法,称为() A、接触法B、表面波法C、穿透法D、莱姆波法
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关于天线的极化方式,下列说法正确的是()。 A.天线辐射波的磁场方向在入射面入射线与反射面法线形成的平面内，称为垂直极化B.天线辐射波的电场方向在入射面入射线与反射面法线形成的平面内，称为垂直极化C.天线辐射波的磁场方向垂直于入射面入射线与反射面法线形成的平面，称为水平极化D.天线辐射波的电场方向垂直于入射面入射线与反射面法线形成的平面，称为水平极化
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对试样进行接触法斜角探伤时，如果入射角达到第二临界角，就会产生（）
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用平探头对曲面工件接触法探伤时，探伤面曲率越大，耦合效果（）。
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对试样进行接触法斜角探伤时，如果入射角达到第二临界角，会发生（）。A、横波波全反射B、纵波波全反射C、表面波全反射D、以上都不对
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用25兆赫硫酸锂晶片制的探头最适宜采用（）探伤A、纵波接触法B、水浸探伤法C、横波接触法D、表面波接触法
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管材横波接触法探伤时，入射角的允许范围与（）有关A、探头楔块中的纵波声速B、管材中的纵，横波声速C、管子的规格D、以上全部
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在接触法超声波纵波垂直入射探伤中，存在上盲区的主要原因是（）A、近场效应影响B、仪器的阻塞时间影响C、探头的始波占宽影响D、以上都是
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锻件接触法探伤中，如果探伤仪的“重复频率”调得过高，可能发生“幻像波”。
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接触法斜角探伤时，如果入射角达到第二临界角，会发生（）。A、横波全反射B、纵波全反射C、表面波全反射D、以上都不对
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管材横波接触法探伤时，入射角的允许范围与什么有关？
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垂直法探伤应用（）探头，将波型为（）的波束垂直入射至工件探测面，以不变的（）和（）射入工件。
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将被检工件浸没在水或其他液体槽内进行探伤的方法，称为（）。A、接触法B、液浸法C、表面波法D、穿透法
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探头晶片与试件探测面不平行的超声波探伤法，称为（）。A、斜射法B、水浸法C、接触法D、穿透法
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关于天线的极化方式，下列说法正确的是（）。A、天线辐射波的磁场方向在入射面入射线与反射面法线形成的平面内，称为垂直极化B、天线辐射波的电场方向在入射面入射线与反射面法线形成的平面内，称为垂直极化C、天线辐射波的磁场方向垂直于入射面入射线与反射面法线形成的平面，称为水平极化D、天线辐射波的电场方向垂直于入射面入射线与反射面法线形成的平面，称为水平极化
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焊缝超声波探伤，与焊缝平行的缺陷，最合适的探伤方法是（）。A、表面波接触法B、纵波接触法C、横波法D、穿透法
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超声波探伤，根据仪器示波屏上显示的缺陷回波进行探伤的方法称为（）。
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对试件进行接触法斜角探伤时，如果入射角达到第二临界，会发生（）。A、表面波全反射B、切变波45度折射C、表面波
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单选题用25兆赫硫酸锂晶片制的探头最适宜采用（）探伤A纵波接触法B水浸探伤法C横波接触法D表面波接触法
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单选题接触法探伤中，入射面显示波也称为（）。A发射脉冲B始脉冲C基面反射波D一次发射波
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单选题焊缝超声波探伤，与焊缝平行的缺陷，最合适的探伤方法是（）。A表面波接触法B纵波接触法C横波法D穿透法
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单选题将被检工件浸没在水或其他液体槽内进行探伤的方法，称为（）。A接触法B液浸法C表面波法D穿透法
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填空题对试样进行接触法斜角探伤时，如果入射角达到第二临界角，就会产生（）
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单选题探头晶片与试件探测面不平行的超声波探伤法，称为（）。A斜射法B水浸法C接触法D穿透法
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单选题在接触法超声波纵波垂直入射探伤中，存在上盲区的主要原因是（）A近场效应影响B仪器的阻塞时间影响C探头的始波占宽影响D以上都是
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问答题管材横波接触法探伤时，入射角的允许范围与什么有关？
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单选题对试件进行接触法斜角探伤时，如果入射角达到第二临界，会发生（）。A表面波全反射B切变波45度折射C表面波
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