AT89S51片内的Flash程序存储器可在线写入(ISP),而AT89C52则不能。

AT89S51片内的Flash程序存储器可在线写入(ISP),而AT89C52则不能。


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(31)下面关于半导体存储器的叙述中,错误的是A)DRAM是指动态随机存取存储器B)SRAM是指静态随机存取存储器C)EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除D)Flash Memory 既具有非易性,又能在线快速擦除和重写

嵌入式存储器系统设计中,一般使用.三种存储器接口电路:NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路,以下叙述中错误的是(27) 。A.系统引导程序可以放在NORFlash中,也可以放在NAND Flash中B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性,其访问速度要大于Flash存储器

下列有关Flash存储器的描述,不正确的是()A、Flash存储器属于非易失的存储器B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息

SAU升级操作前,需确保主机程序和数据已写入FLASH,当升级失败倒回,可以确保主机可以从FLASH迅速读取老版本程序和数据。

用户可以用编程装置读出,也可以将用户程序写入的存储器是下列哪一种()。A、用户存储器B、只读存储器C、随机存储器D、可擦除存储器

用简易编程器将程序写入可编程序控制器时,进行存储器清零和写入加工程序的具体操作

AT89S51单片机片的数据存储器与扩展I/O口是分别独立编址。

AT89S52与AT89S51相比,片内多出了4KB的Flash程序存储器、128B的RAM、1个中断源、1个定时器(且具有捕捉功能)。

()是一种新型的非易失性存储器,但又像RAM一样能快速方便地写入信息。A、DRAMB、SRAMC、Flash RAMD、Cache

MCS-51系列单片机的存储器主要有4个物理存储空间,即片内数据存储器、片内程序存储器、片外数据存储器、()。

AT89S51单片机程序存储器的寻址范围是由程序计数器PC的位数所决定的,因为AT89S51的PC是()的,因此其寻址空间为(),地址范围是从0000H到().

MCS-51系列单片机的存储器主要有4个物理存储空间,即片内数据存储器、片内程序存储器、()、片外程序存储器。

能在紫外线照射下擦除和重写的存储器是()型存储器,能够直接在线路中快速写入和读出的存储器是()型存储器。

DAC0832与MCS—51连接后,在进行传送时MCS—51是将其作为()A、片外数据存储器B、片内数据存储器C、片外程序存储器D、片内程序存储器

AT89S51单片机程序存储器的寻址范围是由程序计数器PC的位数所决定的。

当AT89S51外扩程序存储器32KB时,需使用EPROM2764()A、2片B、3片C、4片D、5片

单片机的EA引脚与程序存储器的扩展有关,当EA接低电平,则不使用片内程序存储器;当EA接高电平,则片内和片外程序存储器总容量为64KB。

AT89S51单片机片外数据存储器最多可以扩展()。

MCS-51系列单片机的存储器主要有4个物理存储空间,即()、片内程序存储器、片外数据存储器、片外程序存储器。

访问程序存储器数据表的指令语句是()A、MOVCA,@A+DPTRB、MOVXA,@DPTRC、片内/片外程序存储器选择D、PUSHACC

MCS-51系列单片机的存储器主要有4个物理存储空间,即片内数据存储器、()、片外数据存储器、片外程序存储器。

下列只读存储器中,仅能一次写入数据的是()A、PROMB、EPROMC、Flash MemoryD、E2PROM

MCS51单片机线脚(PSEN)’=0的含义是:()A、访问片内程序存储器B、访问片外数序存储器C、访问片内数据存储器D、访问片外程序存储器

AT89S51单片机采用的内部程序存储器的类型是()。A、EPROMB、FlashC、SFRD、掩膜ROM

AT89S51单片机的程序存储器的寻址范围是由()决定的,由于AT89S51单片机的PC是()位的,所以最大寻址范围为()。

填空题MP/MC引脚为0时,器件被配置为()方式,可访问片内ROM或FLASH,器件从()程序存储器中读取复位向量;MP/MC引脚为1时,器件被配置为()方式,禁止使用片内FLASH,器件从外部程序存储器中读取复位向量。

填空题程序存储器的寻址空间为64K(),这包括片内DARAM和片内FLASH EEPROM/ROM。当访问片外程序地址空间时,DSP自动产生一个访问外部程序地址空间的信号()。