能在紫外线照射下擦除和重写的存储器是（）型存储器，能够直接在线路中快速写入和读出的存储器是（）型存储器。
能在紫外线照射下擦除和重写的存储器是（）型存储器，能够直接在线路中快速写入和读出的存储器是（）型存储器。
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下面关于半导体存储器的叙述中，错误的是A．DRAM是指动态随机存取存储器B．SRAM是指静态随机存取存储器C．EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除D．Flash Memory既具有非易性，又能快速擦除和重写
（31）下面关于半导体存储器的叙述中，错误的是A）DRAM是指动态随机存取存储器B）SRAM是指静态随机存取存储器C）EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除D）Flash Memory 既具有非易性，又能在线快速擦除和重写
在单片机存储器扩展中2764是()性质的存储器。 A、是随机存储器，一般在系统中作为数据存储器使用B、为只读存储器，在系统中作为程序存储器使用C、为电擦除型存储器，在系统中可作程序或数据存储器使用D、为快速擦除存储器
在各种存储器中，闪速存储器是一种电可擦可编程的只读存储器，与E2PROM相比其特点是(8)。A．擦除和读出速度较快，可擦字节擦除B．擦除和读出速度较快，只能按数据块擦除C．擦除和读出速度较慢，只能按数据块擦除D．擦除和读出速度较慢，可按字节擦除
PROM是可编程只读存储器的缩写，它的内容（）A、是用户用编程器一次性写入的，不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除，反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时，原来的内容会自动清除，允许反复多次写入D、在其制造过程中确定，不允许再改变
EEPROM是电擦除可编程只读存储器的缩写，它的内容也由用户写入，（）A、是用户用编程器一次性写入的，不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除，反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时，原来的内容会自动清除，允许反复多次写入D、在其制造过程中确定，不允许再改变
ROM又称掩膜只读存储器，它存储的内容（）A、是用户用编程器一次性写入的，不能再改变B、可在紫外线灯的照射下擦除，反复多次地擦除和写入C、在写入新的内容时，原来的内容会自动清除，允许反复多次写入D、在其制造过程中确定，不允许再改变
按存取方式分类，存储器可以分为（）。A、随机存取存储器、只读存储器、电可擦除存储器、直接存取存储器B、随机存取存储器、只读存储器、顺序存取存储器、直接存取存储器C、随机存取存储器、读写存储器、电可擦除存储器、顺序存取存储器D、随机存取存储器、读写存储器、光可擦除存储器、直接存取存储器
单选题内核中程序要通过紫外线才能擦除的程序存储器为（）。ARAMBFLASHC动态MOS型RAMDEPROM