下列有关Flash存储器的描述,不正确的是()A、Flash存储器属于非易失的存储器B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息

下列有关Flash存储器的描述,不正确的是()

  • A、Flash存储器属于非易失的存储器
  • B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同
  • C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同
  • D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息

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关于Flash存储设备的描述,不正确的是()。 A、Flash存储设备利用Flash闪存芯片作为存储介质B、Flash存储设备采用USB的接口与计算机连接C、不可对Flash存储设备进行格式化操作D、Flash存储设备是一种移动存储交换设备

下列有关外存储器的描述不正确的是( )A.外存储器中所存储的信息,断电后信息也会随之丢失B.外存储器既是输入设备,又是输出设备C.外存储器不能为CPU直接访问,必须通过内存才能为CPU所使用D.扇区是磁盘存储信息的最小单位

● 下列存取速度最快的是(31) 。A. Flash 存储器B. DRAM 存储器C. 高速缓存 (CACHE)D. 磁盘

以下关于Flash存储器说法不正确的是( )。 A.能在+5V下读写B.读/写操作方便C.掉电时数据会丢失D.也称为闪速存储器

PC使用的下列存储器巾,存取速度最快的是______。A) 主存储器(内存条)B) cache存储器C) 硬盘存储器D) 采用Flash Memory的移动存储器A.B.C.D.

下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述,其中错误的是()。A.系统使用的RAM有SRAM、DRAM等多种B.Flash存储器分为NOR Flash和NAND Flash两种C.FRAM已得到使用D.目前还没有使用Cache存储器

嵌入式存储器系统设计中,一般使用.三种存储器接口电路:NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路,以下叙述中错误的是(27) 。A.系统引导程序可以放在NORFlash中,也可以放在NAND Flash中B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性,其访问速度要大于Flash存储器

下列有关外存储器的描述不正确的是A.外存储器不能为CPU直接访问,必须通过内存才能为CPU所用B.外存储器既是输入设备,也是输出设备C.外存储器中所存储的数据,断电后信息也会随之丢失D.扇区是扇盘存储信息的最小单位

下列选项中有关外存储器的描述不正确的是

下述关于FlashROM的描述中不正确的是()。A、Flash ROM中的内容不可擦除B、Flash ROM是一种特殊的EEPROMC、Flash ROM具有容量大、速度快、价格低的特点D、Flash ROM中的内容不需任何设备,在计算机内部就可改写

Flash存储器和传统的只读存储器相比有什么优点?

下列关于GPIO描述正确的是()A、GPIO可以由CPU编程决定方向,但不能查询其状态B、GPIO通常用于连接外部的SDRAM,进行高速传输C、CPU可以通过编程,决定GPIO是输入、输出的通信功能,但不能是双向的D、GPIO可以用于模拟Flash的接口,对Flash存储器进行读写操作

下列属于半导体存储器的是()A、硬盘B、光盘C、Flash ROMD、DDR3 SDRAM

闪存盘也称为“优盘”,它采用的是Flash存储器技术。

下列只读存储器中,可紫外线擦除数据的是()A、PROMB、EPROMC、Flash Memory

下列按块擦除的是()存储器。A、EPROMB、EEPROMC、PROMD、FLASH

以下叙述中,不正确的是()。A、半导体存储器包括RAM和ROMB、Flash存储器是非易失性的C、Cache是高速缓存D、EPROM使用电擦除方式

下列有关外存储器的描述中,不正确的是()A、外存储器不能被CPU直接访问B、外存储器既是输入设备,又是输出设备C、外存储器中所存储的信息,断电后信息也会随之丢失D、扇区是磁盘存储信息的一个分区

下列存储器中,掉电存储器中的数据会丢失的是()A、ROMB、SRAMC、EPROMD、FLASH MEMORY

以下关于Flash存储器说法不正确的是()。A、能在+5V下读写B、读/写操作方便C、掉电时数据会丢失D、也称为闪速存储器

FLASH的中文含义是()。A、闪速存储器B、随机存储器C、只读存储器D、电可擦除可编程存储器

AT89S52型号中的“S”代表()。A、FLASH存储器B、CMOS产品C、低电压产品D、含可下载的flash存储器

下列只读存储器中,仅能一次写入数据的是()A、PROMB、EPROMC、Flash MemoryD、E2PROM

关于Flash存储设备的描述,不正确的是()A、Flash存储设备利用Flosh闪存芯片作为存储介质B、Flash存储设备采用uSB的接口与计算机连接C、不可对Flash存储设备进行格式化操作D、Flash存储设备是一种移动存储交换设备

单选题下列有关外存储器的描述中,不正确的是()A外存储器不能被CPU直接访问B外存储器既是输入设备,又是输出设备C外存储器中所存储的信息,断电后信息也会随之丢失D扇区是磁盘存储信息的一个分区

单选题下列有关Flash存储器的描述,不正确的是()AFlash存储器属于非易失的存储器BFlash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同CFlash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同DFlash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息

单选题下列关于GPIO描述正确的是()AGPIO可以由CPU编程决定方向,但不能查询其状态BGPIO通常用于连接外部的SDRAM,进行高速传输CCPU可以通过编程,决定GPIO是输入、输出的通信功能,但不能是双向的DGPIO可以用于模拟Flash的接口,对Flash存储器进行读写操作