下列有关Flash存储器的描述,不正确的是()A、Flash存储器属于非易失的存储器B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息
下列有关Flash存储器的描述,不正确的是()
- A、Flash存储器属于非易失的存储器
- B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同
- C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同
- D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息
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下面关于半导体存储器的叙述中,错误的是A.DRAM是指动态随机存取存储器B.SRAM是指静态随机存取存储器C.EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除D.Flash Memory既具有非易性,又能快速擦除和重写
下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述,其中错误的是()。A.系统使用的RAM有SRAM、DRAM等多种B.Flash存储器分为NOR Flash和NAND Flash两种C.FRAM已得到使用D.目前还没有使用Cache存储器
下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述,其中正确的是:()。A.静态存储器SRAM是非易失性存储器B.动态存储器DRAM是非易失性存储器C.Flash存储器是非易失性存储器D.EEPROM是易失性存储器
嵌入式存储器系统设计中,一般使用.三种存储器接口电路:NOR Flash接口、NAND Flash接口和SDRAM接口电路,以下叙述中错误的是(27) 。A.系统引导程序可以放在NORFlash中,也可以放在NAND Flash中B.存储在NOR Flash中的程序可以直接运行C.存储在NAND Flash中的程序可以直接运行D.SDRAM不具有掉电保持数据的特性,其访问速度要大于Flash存储器
单选题下列有关Flash存储器的描述,不正确的是()AFlash存储器属于非易失的存储器BFlash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同CFlash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同DFlash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息