单选题在磁动势均匀分布的等高同心式绕组中，漏磁场在绕组的整个高度上除了端部以外，（）。A纯属辐向漏磁场；B纯属轴向漏磁场；C既不是纯辐向，也不是纯轴向漏磁场；D纯径向。
单选题
在磁动势均匀分布的等高同心式绕组中，漏磁场在绕组的整个高度上除了端部以外，（）。
A
纯属辐向漏磁场；
B
纯属轴向漏磁场；
C
既不是纯辐向，也不是纯轴向漏磁场；
D
纯径向。
参考解析
解析：
暂无解析
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以下关于漏磁场的叙述中，错误的是（）A、缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的材质无关C、漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关D、工件表层下缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
下列关于漏磁场的叙述，正确的是（）。A、内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B、缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降D、有缺陷的试件，才会产生漏磁场
下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A、缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C、漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关D、工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
单选题下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关D工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
单选题下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）A内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降D有缺陷的试件，才会产生漏磁场
单选题下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C漏磁场的大小与缺陷的深度比有关D工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
判断题相关显示是由缺陷产生的漏磁场吸附磁粉形成的，非相关显示不是由漏磁场产生的。A对B错