单选题随着温度的升高，陶瓷半导体电子空穴的浓度按（）规律增加。A线性B指数C对数D阶跃

单选题
随着温度的升高，陶瓷半导体电子空穴的浓度按（）规律增加。
A

线性

B

指数

C

对数

D

阶跃

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在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
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陶瓷半导体的电阻率随着温度的升高而升高。() 此题为判断题(对，错)。
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当本征半导体温度升高时,电子和空穴的数目都()。
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在本征半导体中,电子浓度()空穴浓度。
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靠空穴导电的半导体叫做电子型半导体,靠电子导电的半导体叫做空穴型半导体。() 此题为判断题(对，错)。
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半导体的导电能力随着温度的升高而 增加 。
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P型半导体中的自由电子浓度()空穴浓度。 A、大于B、小于C、等于D、大于或等于
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在纯净半导体内掺入适量的硼元素后，整个半导体（）。A、空穴的浓度大大高于自由电子的浓度B、自由电子的浓度大大高于空穴的浓度C、空穴和自由电子的浓度不变
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随着温度的升高，陶瓷半导体电子空穴的浓度按（）规律增加。A、线性B、指数C、对数D、阶跃
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关于本征半导体载流子，下面描述错误的是：（）A、自由电子和空穴总是成对出现B、电子可以自由移动，空穴不能自由移动C、在温度升高和受光照射时，载流子的数目将增加D、自由电子和空穴在外电场作用下，运动方向相反，形成的电流方向相同，总电流是两者之和
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本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。A、自由电子数目增加，空穴数目不变B、空穴数目增多，自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
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在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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当环境温度升高时，本征半导体中（） A、自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变B、自由电子的数量基本不变，而空穴的数量增加C、自由电子和空穴的数量都增加D、自由电子和空穴的数量都减少E、自由电子和空穴的数量都不变
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本征半导体载流子（）A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等
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本征半导体温度升高以后（）。A、自由电子增多，空穴数基本不变B、空穴数增多，自由电子数基本不变C、自由电子数和空穴数都增多，且数目相同
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温度升高后，在纯净的半导体中（）A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B、空穴增多，自由电子数目不变C、自由电子增多，空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变
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当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）A、增加B、减少C、不变
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在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。A、大于B、等于C、小于
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本征半导体温度升高后（）。A、自由电子数目增多，空穴数目基本不变B、空穴数目增多，自由电子数目基本不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
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本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）A、温度B、杂质浓度C、电子空穴对数目D、都不是
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温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。
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P型半导体的特点是（）A、自由电子浓度大于空穴的浓度B、空穴的浓度大于自由电子的浓度C、自由电子的浓度等于空穴的浓度
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填空题自由空穴浓度大于自由电子浓度的半导体是（）型半导体
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单选题N型半导体（）A自由电子和空穴的浓度相等B自由电子的浓度小于空穴的浓度C自由电子的浓度大于空穴的浓度D自由电子和空穴的浓度无法确定
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单选题杂质半导体中多数载流子的浓度取决于（）A温度B杂质浓度C电子空穴对数目D都不是
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单选题本征半导体载流子（）A自由电子和空穴的浓度无法确定B自由电子的浓度小于空穴的浓度C自由电子的浓度大于空穴的浓度D自由电子和空穴的浓度相等
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