下列各项中不是电平控制型器件的是()。 A.GTOB.GTRC.IGBTD.MOSFET
比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。 A.GTOB.GTRC.MOSFET
()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
下列全控器件中,属于电流控制型的器件是( )。 A.SITB.GTRC.IGBTD.P-MOSFET
MCT属于______和______器件组合而成的复合器件。它的输入侧为______,而输出侧为______,因此兼有MOSFET的______以及晶闸管的______特点。
SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
功率MOSFET驱动功率小，驱动电路简单，功率增益高，是一种（）控制器件。A、电压B、电流C、功率
UPS常用的电力电子器件有：（）A、GTR；B、MOSFET；C、IGBT；D、SCR
UPS常用的电力电子器件有：（）A、GTRB、MOSFET；C、IGBT；D、SCR
目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。
下列属于半控型器件的是（）。A、IGBTB、SCRC、GTOD、MOSFET
不属于全控型功率电子器件的是（）。A、GTOB、GTRC、FSTD、MOSFET
目前开关电源的开关器件有（）。A、SCRB、IGBTC、EMID、MOSFET
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A、电压控制型B、电流控制型C、单极型D、双极型
简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
问答题采用MOSFET作为nMOS反相器的负载器件有哪些优点？
多选题电力电子器件P-MOSFET为（）器件。A电压控制型B电流控制型C单极型D双极型
判断题双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。A对B错
填空题电力MOSFET和IGBT属于（）（电压，电流）驱动型器件。属于电流型驱动的器件有（）、（）、（）等。
问答题如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？