晶体二极管实际上是把一个PN结两端加上引线的半导体器件,其中()。 A、P区为正，N区为负B、N区为正，P区为负C、P区、N区皆为负D、P区、N区皆为正
纯净晶体结构的半导体称之为() A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、杂质半导体
三极管按结构不同分成NPN和PNP两种类型,NPN型三极管的结构是由两个()的三层半导体制成。 A.P区B.PN结C.N区D.PN极
在PIN光电二极管中,P型材料和N型材料之间加一层轻掺杂的N型材料,称为()
PIN光电二极管,是在P型材料和N型材料之间加上一层()
怎样区分N型半导体和P型半导体（）A、N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素，P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同，但接头不同D、N型半导体的空穴过剩，P型半导体的空穴不
关于P型．N型半导体内参与电的粒子，下列说法正确的是（）A、无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B、P型半导体中只有空穴导电C、N型半导体中只有自由电子参与导电D、在半导体中有自由电子.空穴.离子参与导电
由两个N区夹着一个P区，漏极电流是由P区中空穴形成的这种结构的管子，我们称其为N型沟道场效应管。
晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换。
N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
可控硅是一种按P—N—P—N型次序排列的四层硅半导体器件。（）
在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
三极管按结构不同分成NPN和PNP两种类型，NPN型三极管的结构是由两个（）的三层半导体制成。A、P区B、PN结C、N区D、PN极
异质结太阳能电池的结构是在P型基片上，覆盖一层n型顶区层，两者的交界面构成一个异质结，然后在顶区层下面制作栅状金属电场，正背制作底面金属电极。
在PIN光电二极管中，P型材料和N型材料之间加一层轻掺杂的N型材料，称为（）层。
半导体冷却器N型和P型半导体之间的导流片常采用（）。A、镀银陶瓷板B、薄云母板C、紫铜板D、铝或铜的氧化物层
扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的
半导体三级管有（）P型和N型半导体结合在一起而构成。A、二层B、三层C、四层D、五层
当（）后，就形成了PN结.A、N型半导体内均匀掺入少量磷B、P型半导体内均匀掺入少量硼C、P型半导体和N型半导体紧密结合D、P型半导体靠近N型半导体
填空题PIN光电二极管，是在P型材料和N型材料之间加上一层（）。
填空题在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
填空题PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
判断题PIN管是在P型和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的掺杂半导体。A对B错
填空题在PIN光电二极管中，P型材料和N型材料之间加一层轻掺杂的N型材料，称为（）层。
填空题N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。