硅整流二极管的额定电压是指()。 A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向重复峰值电压
晶闸管的额定电压是指()。 A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、正向不重复峰值电压
UF指的是( )。A、正向平均电流B、正向压降C、反向重复峰值电压D、浪涌电流
晶闸管门极断路而器件的结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压称为（）峰值电压。A、断态重复B、断态不重复C、反向重复D、反向不重复
晶闸管断态重复峰值电压（又称正向阻断峰值电压）的数值，规定比正向转折电压小（）V。A、100B、120C、150D、180
可控硅元件的正向阻断峰值电压就是元件所指的耐压值。
允许重复加在晶闸管两端的电压为（）。A、正向转折电压的有效值B、反向转折电压的有效值C、正反向转折电压的峰值减去100VD、正反向转折电压的峰值
可控硅的主要特性参数有：正向阻断峰值电压PFV，反向阻断峰值电压PRV，额定正向平均电流IF，维持电流IH，控制级触发电压Vg，电压上升率dV/dt，电流上升率di/dt，额定结温Tc等。
断开控制极后，能保证晶闸管不导通而允许重复加在阳极与阴极间的正向峰值电压，称为正向阻断峰值电压。
晶闸管元件的主要特性有（）。A、阳极伏安特性B、门极特性C、断态重复峰值电压D、反相重复峰值电压
当快速熔断器熔断时，应检查整流管的（）。A、反向重复峰值电压B、正向重复峰值电压
若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是（）V。 A、200B、500C、700D、1200
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门即断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
硅整流二极管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复平均电压D、正向不重复平均电压
如某晶闸管的正向重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。A、700VB、750VC、800VD、850V
硅整流二极管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对
晶闸管的额定电压是指（）。A、正向平均电压B、反向不重复峰值电压C、反向重复峰值电压D、以上答案均不对
如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。A、700VB、750VC、800VD、850V
晶闸管的主要参数有（）。A、正向断态重复峰值电压UDRMB、反向重复峰值电压URRMC、通态平均电流IT（AV） D、通态平均管压降UT（AV） E、维持电流IH
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向阻断峰值电压，其值低于转折电压。
当门极断开（Ig=0），元件处在额定结温时，正向重复峰值电压为正向不重复峰值电压（）%。A、70B、80C、90D、100
晶闸管的额定电压是在（）中取较小的一个。A、正向重复峰值电压B、正向转折电压C、反向不重复峰值电压D、反向重复峰值电压E、反向击穿电压
若晶闸管正向重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
晶闸管的主要参数有（）。A、正向阻断峰值电压B、反向阻断峰值电压C、额定正向平均电流D、控制极触发电压
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件下的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
晶闸管的正向阻断峰值电压，即在控制极断开和正向阻断条件一的电压，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
单选题二极管能保持正向电流几乎为零的最大正向电压称为（）。A死区电压B击穿电压C截止电压D峰值电压