填空题CPU访问存储器时，需利用M/IO信号的（）电平；访问I/O端口时，利用（）信号的（）电平。
填空题
CPU访问存储器时，需利用M/IO信号的（）电平；访问I/O端口时，利用（）信号的（）电平。
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80386有4个总线周期定义信号，分别为W/R、D/C、M/IO和LOCK;其中前3个是主要的总线周期定义信号在存储器数据读取周期，各总线周期定义信号为( )。A．W/R=L低电平，D/C=H高电平，M/IO=H高电平B．W/R=L低电平，D/C=H高电平，M/IO=L低电平C．W/R=H高电平，D/C=L低电平，M/IO=H高电平D．W/R=L低电平，D/C=L低电平，M/IO=H高电平
80386有4个总线周期定义信号分别为W/R、D/C、M/IO和LOCK，其中前3个是主要的总线周期定义信号，在FO写周期，各总线周期定义信号为( )。A．W/R=L低电平，D/C=H高电平，M/IO=H高电平B．W/R=L低电平，D/C=H高电平，M/IO=L低电平C．W/R=H高电平，D/C=L低电平，M/IO=H高电平D．W/R=L低电平，D/C=L低电平，M/IO=H高电平
80386有4个总线周期定义信号分别为W/R、D/C、M/IO和LOCK，其中前3个是主要的总线周期定义信号，在I/O写周期，各总线周期定义信号为( )。A．W/R=H低电子，D/C=H高电平，M/IO=H高电平B．W/R=L低电平，D/C=H高电平，M/IO=L低电子C．W/R=H高电平，D/C=H低电平，M/IO=L高电平D．W/R=H低电平，D/C=L低电平，M/IO=H高电平
INTEL 8088 CPU可以访问的存储器空间可达1M，使用的地址信号线为A19～A0，CPU执行一次存储器读操作时，有效控制信号是（）。A、RD低电平，WR三态，M/IO低电平B、RD三态，WR低电平，M/IO高电平C、RD低电平，WR高电平，M/IO高电平D、RD高电平，WR低电平，M/IO高电平
某机字长16位，CPU地址总线18位，数据总线16位，存储器按字编址，CPU的控制信号线有：MREQ#（存储器访问请求，低电平有效），R/W#（读写控制，低电平为写信号，高电平为读信号）。试问：【＊＊，★，包捷5.2，编号3.3，3.5.2】该机可以配备的最大主存容量为（）。
8086执行OUTDX，AL指令时其引脚（）。A、M／IO输出高电平、WR输出高电平B、M／iO输出低电平，RD输出低电平C、M／IO输出低电平、WR输出低电平D、M／IO输出高电平、RD输出高电平
8086的准备就绪信号READY是（）。A、输入信号，当READY=L（低电平）时，CPU将插入等待周期TWB、输入信号，当READY=H（高电平）时，CPU将插入等待周期TWC、输出信号，当READY=H（高电平）时，CPU将插入等待周期TWD、输出信号，当READY=L（低电平）时，CPU将插入等待周期TW
问答题某机字长16位，CPU地址总线18位，数据总线16位，存储器按字编址，CPU的控制信号线有：MREQ#（存储器访问请求，低电平有效），R/W#（读写控制，低电平为写信号，高电平为读信号）。试问：【＊＊，★，包捷5.2，编号3.3，3.5.2】该机可以配备的最大主存容量为（）。
单选题8088CPU在最小模式下对I/0进行读操作时，有效控制信号为（）。ARD低电平，三态，I0/M低毛平BRD三态，WR低电平，I0/M高电平CD低电平，限三态，I0/M高毛平DRD三态，WR低电平，I0/M低电平