当M/IO=0时，可以进行的操作有：（）A、写存储器B、读存储器C、写I/O端口D、读I/O端口

当M/IO=0时，可以进行的操作有：（）

  • A、写存储器
  • B、读存储器
  • C、写I/O端口
  • D、读I/O端口

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8086CPU工作在最小工作模式下，对存储器进行读操作时，CPU上引脚M/IO，RD状态为A.M/IO为高，RD为高B.M/IO为高，RD为低C.M/IO为低，RD为高D.M/IO为低，RD为低
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若8086 CPU工作在最小工作模式，进行I/O读操作时，M/IO和RD信号的状态为A.M/IO为高，RD为高B.M/IO为高，RD为低C.M/IO为低，RD为高D.M/IO为低，RD为低
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结合8086最小模式下总线操作时序图,说明ALE、M／IO、DT／R、RD、READY信号的功能。
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当8088引脚时，表示CPU当前正在进行()操作。A.读存储器B.写存储器C.写IO口D.读IO口
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当M/IO=0，RD=0，WR=1时，CPU完成的操作是A．存储器读B．I/O读C．存储器写D．I/O写
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8086微处理器在最小模式下执行输出操作时，下列哪一个选项所描述的状态是正确的?______A．RD低电平，WR高电平，M／IO高电平B．RD高电平，WR低电平，M／IO高电平C．RD低电平，WR高电平，M／IO低电平D．RD高电平，WR低电平，M／IO低电平
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IO流有很多种,按照操作数据的不同,可以分为()和字符流。
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8086微处理器在最小模式下执行输出操作叫，下列( )所描述的状态是正确的。A．RD低电平，WR高电平，M/IO高电平B．RD高电平，WR低电平，M/lO高电平C．RD低电子，WR高电平，M/IO低电平D．RD高电平，WR低电平，M/IO低电平
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8086微处理器在最小模式下执行输出操作时，下列( )所描述的状态是正确的。A．RD低电平，WR高电平，M/IO高电平B．RD高屯子，WR低电平，M/IO高电平C．RD低电子，WR高电平，M/IO低电平D．RD高电平，WR低电平，M/IO低电平
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8086CPU进行存储器写操作时，在总线周期的T1周期（状态）下，总线信号中（）A、M/IO＝HB、M/IO＝LC、ALE＝HD、WR＝LE、DEN＝H
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引脚IO/M*、WR*和RD*状态分别为010，此时正在进行的操作是（）A、存储器的读B、存储器的写C、IO口的读D、IO口的写
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INTEL 8088 CPU可以访问的存储器空间可达1M，使用的地址信号线为A19～A0，CPU执行一次存储器读操作时，有效控制信号是（）。A、RD低电平，WR三态，M/IO低电平B、RD三态，WR低电平，M/IO高电平C、RD低电平，WR高电平，M/IO高电平D、RD高电平，WR低电平，M/IO高电平
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8086/8088CPU工作在最小方式对存储器进行写操作有关的控制信号（）A、M/IO#B、WR#C、ALED、INTA#E、DT/R#
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8086执行OUTDX，AL指令时其引脚（）。A、M／IO输出高电平、WR输出高电平B、M／iO输出低电平，RD输出低电平C、M／IO输出低电平、WR输出低电平D、M／IO输出高电平、RD输出高电平
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当RD#=0，WR#=1，M/IO#=0时，CPU完成的操作是（）.A、存储器读B、存储器写C、I/O读D、I/O写
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8086的M/IO引脚是（）总线中的一条。该引脚为低电平是对（）进行操作
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当CPU访问由8155扩展的RAM时，8155的IO/M必须为（）电平。
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当CPU访问外设接口时，需利用（）信号。A、WRB、RDC、IORD、M/IO
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结合8086最小模式下总线操作时序图，说明ALE、M/IO#、DT/R#、RD#、READY信号的功能。
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8086CPU在进行写内存操作时，控制信号M/IO－和DT／R－是（）A、00B、01C、10D、11
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8086CPU进行IO写操作时，在总线周期的T1周期（状态）下，总线信号中（）A、M/IO＝HB、M/IO＝LC、ALE＝HD、WR＝LE、DEN＝H
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在服务器IO操作中，CPU密集型IO的特点是应用程序内部逻辑复杂，占CPU多，对磁盘的实际IO操作较少。
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填空题当CPU访问由8155扩展的RAM时，8155的IO/M必须为（）电平。
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单选题8086工作在最小模式下，当M/IO#=0，RD#=0，WR#=1时，CPU完成的操作是（）A存储器读BI/O读C存储器写DI/O写
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单选题引脚IO/M*、WR*和RD*状态分别为010，此时正在进行的操作是（）A存储器的读B存储器的写CIO口的读DIO口的写
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多选题8086CPU进行IO写操作时，在总线周期的T1周期（状态）下，总线信号中（）AM/IO＝HBM/IO＝LCALE＝HDWR＝LEDEN＝H
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填空题8086的M/IO引脚是（）总线中的一条。该引脚为低电平是对（）进行操作
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