填空题当GTR发生的一次击穿,()

填空题
当GTR发生的一次击穿,()

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相关考题:

GTR存在二次击穿现象。()

什么是GTR的二次击穿现象以及二次击穿的危害。

当半导体二极管的反向击穿电压大于6V,主要发生何种击穿现象?() A.雪崩击穿B.齐纳击穿C.热击穿D.碰撞击穿

当电压达到一定值时,变压器套管等瓷质设备表面的空气发生放电,叫做()气体放电;气体击穿;瓷质击穿;沿面放电

当GTR发生的一次击穿,()

当GTR发生的二次击穿,()

做()试验时绝缘被击穿,形成间隙性放电,当所加电压达到某一定值时,发生击穿,当电压降到某一值时,绝缘恢复而不发生击穿。A、导体直流电阻B、电缆绝缘C、振荡波D、预防性

GTR的主要缺点之一是()A、开关时间长B、高频特性差C、通态压降大D、有二次击穿现象

当电场强度达到足以击穿空气的程度时,就能发生对地放电。

GTR的输出特性曲线中共分五个区:截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿。作为开关元件一般来说应工作在截止和浅饱和区。

功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止

关于二次击穿,以下说法正确的是()。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂

齐纳击穿时的击穿电压约()V,当反向击穿电压()时,为雪崩击穿。齐纳击穿具有电压温度系数,而雪崩击穿具有()电压温度系数。

当半导体二极管的反向击穿电压小于6V时,主要发生何种击穿()A、雪崩击穿B、齐纳击穿C、热击穿D、碰撞击穿

GTR的优点是控制方便、开关时间短,低频特性好,缺点是存在局部过热现象,可能导致二次击穿。

描述GTR的二次击穿特性。

试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。

当高压电缆击穿造成短路时,一次电压和电流都很大,而二次电压和电流都很小。()

当绝缘材料发生击穿放电则永远失去介电强度。

变压器交流耐压过程中,变压器内部有放电声,电流表指示发生变化,表示绝缘被击穿。当进行重复试验时试验电压比第一次低,说明变压器内部可能存在()。A、间隙贯穿性击穿B、铁芯接地不良C、固体绝缘被击穿D、以上都正确

下列关于闪络性故障叙述正确的是()A、这类故障大多数在运行中发生,并多出现在电缆中间接头和终端头B、试验时绝缘被击穿,形成间隙性放电,当所加电压达到某一定值时,发生击穿C、当电压降至某一值时,绝缘恢复而不发生击穿D、有时还会出现绝缘击穿后又恢复正常,即使提高试验电压,也不再击穿的现象

当高压电缆击穿造成短路时,一次电压和电流斗很小。

判断题GTR的输出特性曲线中共分五个区:截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿。作为开关元件一般来说应工作在截止和浅饱和区。A对B错

问答题描述GTR的二次击穿特性。

填空题当GTR发生的二次击穿,()

单选题功率晶体管(GTR)从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。A一次击穿B二次击穿C临界饱和D反向截至

问答题试解释为什么GTR有二次击穿现象,而Power MOSFET没有。