填空题CZ直拉法的目的是（）。

填空题
CZ直拉法的目的是（）。

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晶体生长有不同的方法,以下不是熔体法生长的是()。 A、直拉法B、布里奇曼法C、区熔法D、真空蒸发法
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硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
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采用分层总和法计算软土地基沉降量时，压缩层下限确定的根据是：A. σcz/σz≤0. 2B. σz/σcz≤0. 2C. σz/σcz≤0. 1D. σcz/σz≤0. 1
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采用分层总和法计算软土地基最终沉降量时，压缩层下限确定的根据是（　　）。A．σCz/σz≤0.2B．σz/σCz≤0.02C．σCz/σz≤0.1D．σz/σCz≤0.1
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客票784－4415321035第一段航班为CZ783OP-AF101，下面说法正确的是（）A、CZ=OCAF=MCCZ=VCB、CZ=MCAF=OCAF=VCC、CZ=VCAF=OCCZ=MCD、CZ=OCAF=VCCZ=MC
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神舟5号载人飞船是用什么型号的运载火箭发射的（）A、CZ-2EB、CZ-2FC、CZ-3A
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票号784-4432194412航班号显示CZ CI 9602，则正确的说法有（）A、CZ=VCB、CZ=MCC、CI=OCD、CZ=OC
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用Z检验法，作双边统计假设检验时，如果是拒绝了H0，其判定的依据必是（）。A、%7cZ%7c≤Zα/2B、%7cZ%7c≥Zα/2C、%7cZ%7c≤ZαD、%7cZ%7c≥Zα
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特大工件要求经过一次吊装、找正，就能完成整个工作的划线，则一般采用的划线方法是（）。A、直拉翻转零件法B、拉线与掉线法C、工件位移法
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直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）A、6B、2C、4D、5
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京华（6180D2、D3）前轮元丰盘式制动器一级保养工艺要求，直拉杆作业项目，检查直拉杆工序的作业步骤不包括（）。A、检紧转向节横、直拉杆臂连接螺母B、检查直拉杆C、检查直拉杆后端与转向节连接处球头D、检查直拉杆前端与转向机连接处球头
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调整前束是调转向直拉杆。
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单晶硅锭的制备方法很多，目前国内外在生产中主要采用溶体直拉法和辉光放电法。
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下面哪种不是单晶硅的制备方法（）。A、硅带法B、区熔法C、直拉单晶法D、磁拉法
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与非独立悬架配用的转向传动机构有下列哪种（）A、直拉杆纵置，转向梯形后置B、直拉杆纵置，转向梯形前置C、直拉杆横置，转向梯形后置D、直拉杆横置，转向梯形前置
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单选题采用分层总和法计算软土地基沉降量时，压缩层下限确定的根据是：（）Aσcz/σz≤0.2Bσz/σcz≤0.2Cσz/σcz≤0.1Dσcz/σz≤0.1
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单选题当采用分层总和法计算软土地基沉降量时，压缩层下限确定的根据是（　　）。Aσcz/σz≤0.2Bσz/σcz≤0.1Cσcz/σz≤0.1Dσz/σcz≤0.2
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问答题简述熔体制备单晶的方法，坩埚法和直拉法的过程细节。
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填空题CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。
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单选题科诺尔（ZFRL-85A）盘式车轮制动器二级保养工艺要求，检查横直拉杆作业项目检查直拉杆工序的作业步骤是（）。A检查直拉杆——检查直拉杆后端与转向节连接处球头——检查直拉杆前端与转向机连接处球头B检查直拉杆后端与转向节连接处球头——检查直拉杆——检查直拉杆前端与转向机连接处球头C检查直拉杆前端与转向机连接处球头——检查直拉杆——检查直拉杆后端与转向节连接处球头D检查直拉杆后端与转向节连接处球头——检查直拉杆前端与转向机连接处球头——检查直拉杆
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判断题CZ直拉法是按照在20世纪90年代初期它的发明者的名字来命名的。A对B错
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单选题直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）A6B2C4D5
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填空题影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。
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填空题直拉法单晶生长过程包括（）、（）、（）、（）、（）等步骤。
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判断题85%以上的单晶硅是采用CZ直拉法生长出来的。A对B错
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填空题直拉法生长单晶硅要经过（）六个阶段。
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问答题简述直拉法生长单晶硅的工艺过程，并说明每个步骤各自有什么作用？
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