晶体生长有不同的方法,以下不是熔体法生长的是()。 A、直拉法B、布里奇曼法C、区熔法D、真空蒸发法

晶体生长有不同的方法,以下不是熔体法生长的是()。

A、直拉法

B、布里奇曼法

C、区熔法

D、真空蒸发法

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熔体结晶化过程包括 、晶体生长两个过程。
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4、根据渗入元素的介质所处的状态不同，化学热处理方法主要可分为以下几类：固体法， 液体法，气体法和等离子体法。
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晶核生成速率与晶体生长速率的极大值所处的温度相差越小，熔体越容易形成玻璃。
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晶面上出现的多边形层是A．两种单形的晶面交替生长形成B．晶体生长是晶面上的缺陷形成C．晶体生长时的生长层台阶形成D．晶体生长受内部解理影响形成
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晶面上出现的螺纹反映A．晶体生长的溶液过饱和度较低B．晶体生长时温度较高C．晶体生长的溶液过饱和度较高D．晶体生长环境不稳定
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熔体的冷却析晶相变，主要通过成核、晶体生长等二个过程来实现，成核速率和晶体生长速率都与过冷度⊿T 有关，只有在一定的过冷度下才能有最大的成核和生长速率。与晶体生长速率曲线的峰值相比，成核速率曲线的峰值一般位于（)。A．较大过冷度⊿T 处B．较小过冷度⊿T 处C．同一过冷度⊿T 处D．不能确定
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当熔体从Tm冷却时，黏度随之减小，成核和晶体生长的阻力减小。
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溶液法可以生长出熔体法难以制备的大块晶体。
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在熔体析晶的过程中，为获得尺寸、数量合适的晶粒，需严格控制过冷度，为获得尺寸大而数量少的晶粒，在控制过冷度时，需使析晶温度控制在（）。A．晶体生长速率较大而成核速率相对较小处B．成核速率较小且晶体生长速率较小处C．晶体生长速率较小而成核速率较大处D．成核速率较大且晶体生长速率较大处
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