三极管3DG6是()三极管。 A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
肌膜陷入细胞内而形成的横向小管称为L小管。() 此题为判断题(对，错)。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管
测得一放大电路中三极管各级电压如图所示，则该三极管为（ ）。 A． NPN型锗管 B． NPN型硅管 C． PNP型锗管 D． PNP型硅管
一只处于放大状态的三极管，各极电位分别是UE=6V、UB=5.3V、UC=1V，则该管是（）。A、PNP硅管B、PNP锗管C、NPN硅管
在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V，则这只三极管为（）。A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管
3AX31C表示管是（）。A、PNP低频小功率管B、NPN低频小功率管C、PNP高频大功率管
晶体管是由半导体形成的，有（）和（）两种。A、PNP、PNPB、NPN、NPNC、PNP、NPND、PNN、NPP
在OTL功率放大器中，两晶体三极管特性和参数相同并且一定是（）。A、NPN管与NPN管B、PNP管与PNP管C、NPN管与PNP管D、NPN管或PNP管
关于9013，下面（）是正确的。A、NPN硅管B、PNP硅管C、NPN锗管D、PNP锗管
对硅三极管性能描述正确的是（）。A、多数是PNP管子B、受温度影响小C、性能稳定D、不适合制造大功率管E、使用较为广泛
三极管3DG130C是（）。A、高频小功率PNP型锗管B、高频大功率NPN型锗管C、低频小功率PNP型硅管D、高频小功率NPN型硅管
NPN、PNP三极管工作放大状态时，其发射结（）。A、均加反向电压B、均加正向电压C、NPN管加正向电压，PNP管加反向电压D、NPN管加反向电压，PNP管加正向电压
三极管按导电类型可分（）A、NPN及PNP三极管B、N型三极管C、P型三极管D、PNP三极管
NPN、PNP三极管作放大时，其发射结（）。A、均加反向电压B、均加正向电压C、NPN管加正向电压、PNP管加反向电压D、PNP管加正向电压、NPN管加反向电压
三极管的型号为3DG6，它是（）三极管。A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
NPN、PNP三极管做放大器时，其发射结（）A、均反向电压B、均正向电压C、仅NPN管反向电压D、仅PNP管反向电压
（）具有不同的低频小信号电路模型。A、NPN型管和PNP型管B、增强型场效应管和耗尽型场效应管C、N沟道场效应管和P沟道场效应管D、晶体管和场效应管
在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。A、PNP管的集电极B、PNP管的发射极C、NPN管的发射极D、NPN管的基极
测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管不是（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（）。A、PNP型的基极B、PNP型的集电极C、NPN型的发射极D、PNP型的发射极
在三极管放大电路中，三极管各管脚电位最高的是（）。A、PNP管的集电极B、NPN管的集电极C、PNP管的基极D、NPN管的基极
关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。A、相同功率的锗管反向漏电流大于硅管B、NPN管反向漏电流小于PNP管C、电压越高越大D、NPN管反向漏电流大于PNP管
问答题伴随一个横向PNP器件产生两个寄生的PNP晶体管，试问当横向PNP器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大?
单选题OCL互补功率放大电路中，两晶体三极管特性和参数相同且一定是（）ANPN与NPN管BPNP与PNP管CNPN与PNP管DSi管和Ge管