晶体管器件类型中"X"表示低频大功率管。() 此题为判断题(对，错)。
硅NPN型高频小功率极管3DG4D，其中G代表（ ）。A.三极管B.NPN硅材料C.高频小功率管D.序号
2CK表示是（）；2CZ表示是（）；2DW表示是（）；3AX表示是（）材料，（）型低频小功率管；3DG表示是（）材料，（）型高频小功率管。
某半导体型号标明为3AD50C，其含义表示（）。A、锗材料PNP型管B、低频大功率管C、硅材料NPN型管D、A和B
对硅三极管性能描述正确的是（）。A、多数是PNP管子B、受温度影响小C、性能稳定D、不适合制造大功率管E、使用较为广泛
三极管3DG130C是（）。A、高频小功率PNP型锗管B、高频大功率NPN型锗管C、低频小功率PNP型硅管D、高频小功率NPN型硅管
一只三极管型号为3DG130C，它表示（）。A、PNP型硅材料高频小功率三极管B、NPN型硅材料高频小功率三极管C、PNP型硅材料低频小功率三极管D、NPN型硅材料低频小功率三极管
晶体三极管3AX中X表示（）。A、高频小功率管B、高频大功率管C、低频小功率管D、低频大功率管
晶体管调节器，如果激励电流随着转速升高而增加，则（）。A、大功率管短路B、小功率管，稳压管短路C、调节器是好的D、大功率管断路
硅NPN型高频小功率极管3DG4D，其中G代表（）。A、三极管B、NPN硅材料C、高频小功率管D、序号
3DG4C表示（）A、NPN型硅材料高频小功率三极管；B、PNP型硅材料高频小功率三极管；C、NPN型锗材料高频大功率三极管；D、PNP型锗材料低频小功率三极管
3DA101表示（）A、NPN型硅材料高频小功率三极管；B、PNP型锗材料低频小功率三极管；C、NPN型硅材料高频大功率三极管；D、PNP型锗材料低频大功率三极管；
型号为3DG21的半导体三极管，是硅材料的NPN型高频小功率管。
3AD18A、表示（）A、NPN型锗材料高频小功率三极管；B、PNP型锗材料低频大功率三极管；C、NPN型硅材料低频小功率三极管；D、NPN型硅材料高频小功率三极管
国产晶体管3DG系列表示（）。A、硅材料NPN型高频小功率三极管B、锗材料PNP型高频大功率三极管C、硅材料NPN型低频小功率三极管D、锗材料PNP型低频大功率三极管
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
把功率管固定在（）上，能大大（）功率管的极限功耗。
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
三极管3AC30C其中AC含义正确的是（）。A、NPN型硅材料，低频大功率管B、NPN型锗材料，高频大功率管C、PNP型硅材料，高频大功率管D、PNP型锗材料，高频大功率管
三极管3AC30C其中AC含义正确的是（）。A、NPN型硅材料，低频大功率管B、NPN型锗材料，高频大功率管C、PNP型硅材料，高频大功率管D、PNP型锗材料，低频大功率管
单选题按功率来分，晶体管可分为（）。A大功率管B中功率管C小功率管D以上都是
单选题晶体三极管3DA的器件类别是（）A低频小功率管B高频大功率管C高频小功率管D低频大功率管
单选题某半导体型号标明为3AD50C，其含义表示（）。A锗材料PNP型管B低频大功率管C硅材料NPN型管DA和B
单选题硅NPN型高频小功率极管3DG4D，其中G代表（）。A三极管BNPN硅材料C高频小功率管D序号
单选题晶体管调节器，如果激励电流随着转速升高而增加，则（）。A大功率管短路B小功率管，稳压管短路C调节器是好的D大功率管断路