单选题烤瓷用合金的熔化温度至少应高于烤瓷温度（）A100℃B200℃C300℃D50℃
单选题
烤瓷用合金的熔化温度至少应高于烤瓷温度（）
A
100℃
B
200℃
C
300℃
D
50℃
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相关考题：
真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有2种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃B、21～30℃C、10℃以内D、11～20℃E、5℃在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败B、烤瓷失败，烤瓷件报废C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连D、炉膛报废E、发热体损坏真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
金属基底冠除气的方法是A．低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB．低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC．高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD．高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE．高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min
真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B、预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C、现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D、现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E、现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A、31～40℃B、21～30℃C、10℃以内D、11～20℃E、5℃在烤瓷过程中不能使烤瓷件与炉膛内壁接触，如果接触，可能造成的最严重的后果是A、烤瓷失败B、烤瓷失败，烤瓷件报废C、烤瓷件与炉膛内壁发生粘连D、炉膛报废E、发热体损坏请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！
真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括A．预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B．预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C．现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D．现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E．现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
对烤瓷合金与瓷粉的要求，下列说法正确的是（）A、烤瓷合金的熔点应小于瓷粉的熔点B、烤瓷粉经反复烘烤热膨胀系数增大C、合金的熔点必须高于瓷粉熔点170～270℃D、合金的熔点必须低于瓷粉熔点170～270℃E、烤瓷合金与瓷粉的热膨胀系数应严格匹配
单选题真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括（）。A预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
单选题真空烤瓷炉的温度参数和时间参数主要包括（ ）。A预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间B预热温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间C现时温度，烤瓷温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间D现时温度，最终温度，预热时间，升温时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间E现时温度，最终温度，预热时间，烤瓷时间，最终温度持续时间，真空烤瓷时间
单选题金属基底冠除气的方法是（）。A低于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minB低于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3minC高于烤瓷烧结温度4℃的条件下保持3minD高于烤瓷烧结温度10℃的条件下保持3minE高于烤瓷烧结温度20℃的条件下保持3min