问答题CsCl晶体结构中,Cs+为立方体配位,此结构中Cl-是作最紧密堆积吗?

问答题
CsCl晶体结构中,Cs+为立方体配位,此结构中Cl-是作最紧密堆积吗?

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相关考题:

一个原子最邻近的、等距离的原子数称为()。 A、价电子数B、原子团C、晶体结构D、配位数

配位滴定中,使用氢化物作掩蔽剂时应注意先将溶液调节为碱性后再加入。() 此题为判断题(对,错)。

配位滴定中,使用氰化物作掩蔽剂时应注意先将溶液调节为碱性再加入。() 此题为判断题(对,错)。

工业中金属材料一般都是多晶体结构。此题为判断题(对,错)。

钻石晶体结构的空间格子形式为()。A、立方体心格子B、立方面心格子C、立方底心格子D、立方格子

因为负离子一般比较大,负离子的堆积是离子晶体结构的主要框架,正离子被看成是填充在负离子堆积形成的空隙中。

CsCl晶体是由Cs+和Cl-的简单立方交错(重叠1/8)排列而成。

铁素体的晶体结构为()。A、体心立方晶体结构B、面心立方晶体结构C、密排立方晶体结构

FCC、BCC、HCP三种晶体结构中,塑性变形时最容易生成孪晶的是()。

马氏体是碳在α-Fe中的()固溶体,其晶体结构为体心立方。

立方紧密堆积的原子密排面是晶体中的()面,六方紧密堆积的原子密排面是晶体中的()面。

在金属晶体面心立方密堆积结构中,金属原子的配位数为()A、4B、6C、8D、12

每个CsCl晶胞中含有1个Cs+和1个Cl-。

Ga3+与F-配位时形成()与Cl-配位时形成()。

填空题FCC、BCC、HCP三种晶体结构中,塑性变形时最容易生成孪晶的是()。

填空题六方紧密堆积的原子密排面是晶体中的()面,立方紧密堆积的原子密排面是晶体中的()面

填空题在等大球体的最紧密堆积中,六方最紧密堆积与六方格子相对应,立方最紧密堆积与()相对应。

填空题硅酸二钙的水化方程式是(),产物中()为晶体结构,()为凝胶体结构。

问答题在某一晶体结构中,同种质点都是相当点吗?为什么?

单选题在离子晶体中,当正负离子半径比值在0.225~0.414的范围内时,形成()A四面体配位B八面体配位C平面三角形配位D立方体配位

单选题不属于半导体主要晶体结构类型的是()A金刚石型结构B闪锌矿型结构C钙钛矿结构D密堆积结构

单选题单质半导体的晶体结构类型是()A金刚石型结构B闪锌矿型结构C钙钛矿结构D密堆积结构

问答题在一个实际晶体结构中,同种原子(或离子)一定是等效点吗?一定是相当点吗?如果从实际晶体结构中画出了空间格子,空间格子上的所有点都是相当点吗?都是等效点吗?

填空题NaCl晶胞中Cl-离子作()最紧密堆积,Na+填充()面体空隙的100%,以(001)面心的一个球(Cl-离子)为例,属于这个球的八面体空隙数为(),所以属于这个球的四面体空隙数为(),正负离子配位数为(),配位多面体之间共()连接,单个晶胞占有正负离子的数目为()。

单选题CsCl单位晶胞中的“分子数”为1,Cs+填充在Cl-所构成的()空隙中。A全部四面体B全部八面体C全部立方体D1/2八面体

填空题CsCl结构中,Cs+与Cl-分别构成()格子。

填空题CsCl型离子晶体负离子属于简单立方,其配位数为(),所占空隙为立方体,所占空隙分数为()。