单选题CsCl单位晶胞中的“分子数”为1,Cs+填充在Cl-所构成的()空隙中。A全部四面体B全部八面体C全部立方体D1/2八面体

单选题
CsCl单位晶胞中的“分子数”为1,Cs+填充在Cl-所构成的()空隙中。
A

全部四面体

B

全部八面体

C

全部立方体

D

1/2八面体


参考解析

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速率分布函数的物理意义为(  )。 A、 具有速率v的分子数占总分子数的百分比 B、 速率分布在v附近的单位速率间隔中的分子数占总分子数的百分比 C、 具有速率v的分子数 D、 速率分布在v附近的单位速率间隔中的分子数

f(v)是麦克斯韦速率分布函数,n是单位体积内所具有的分子数,则nf(v)dv的物理意义是( )。A.单位体积内速率为v的分子数目B.单位体积内速率为v的分子数占总分子数的比率C.单位体积内分子速率在v→v+dv间隔内的分子数占总分子数的比率D.单位体积内,分子速率在v→v+dv区间中的分子数目

每个体心立方晶胞中的原子数为()。A、2B、4C、6

关于速率分布函数f(v)的物理意义,下列哪个叙述是正确的?A、具有速率v的分子占总分子数的百分比B、速率分布在v附近的单位速率间隔中的分子数占总分子数的百分比C、具有速率v的分子数D、速率分布在v附近的单位速率间隔中的分子数

在麦克斯韦速率分布律中,速率分布函数f(ν)的意义可理解为()。A、速率大小等于ν的分子数B、速率大小在ν附近的单位速率区间内的分子数C、速率大小等于ν的分子数占总分子数的百分比D、速率大小在ν附近的单位速率区间内的分子数占总分子数的百分比

在麦克斯韦速率分布律中,速率分布函数的物理意义可理解为()。A、速率为v的分子数B、速率在v附近的单位速率区间的分子数C、速率等于v的分子数占总分子数的比率D、速率在v附近的单位速率区间的分子数占总分子数的比率

CsCl晶体是由Cs+和Cl-的简单立方交错(重叠1/8)排列而成。

NaCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为6,ZnS型离子化合物晶胞中正负离子配位数为(),CsCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为()

每个CsCl晶胞中含有4个Cs+和4个Cl-。

在体心立方晶体结构中,晶胞中的原子数为()个。A、2B、4C、6

在一定温度下,某一元弱酸电离度等于2%的是()。A、未电离的分子数与已电离的分子数之比为49∶1B、未电离的分子数与已电离的分子数之比为50∶1C、未电离的分子数与溶液中离子总数之比为50∶1D、未电离的分子数与溶液中离子总数之和为电离前分子数的两倍

在单位晶胞的CaF2晶体中,其八面体空隙和四面体空隙的数量分别为()A、4,8B、8,4C、1,2D、2,4

每个CsCl晶胞中含有1个Cs+和1个Cl-。

速率分布函数f(v)的物理意义为:()A、具有速率v的分子占总分子数的百分比.B、速率分布在v附近的单位速率间隔中的分子数占总分子数的百分比.C、具有速率v的分子数.D、速率分布在v附近的单位速率间隔中的分子数.

NaCl单位晶胞中的“分子数”为4,Na+填充在Cl-所构成的()空隙中。A、全部四面体B、全部八面体C、1/2四面体D、1/2八面体

填空题由N个晶胞常数为a的晶胞所构成的一维晶格,其第一布里渊区边界宽度为(),电子波矢的允许值为()的整数倍。

填空题以NaCl晶胞中(001)面心的一个球(Cl-离子)为例,属于这个球的八面体空隙数为(),所以属于这个球的四面体空隙数为()。

单选题NaCl单位晶胞中的“分子数”为4,Na+填充在Cl-所构成的()空隙中。A全部四面体B全部八面体C1/2四面体D1/2八面体

单选题在单位晶胞的CaF2晶体中,其八面体空隙和四面体空隙的数量分别为()A4,8B8,4C1,2D2,4

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问答题说明最紧密堆积原理,并说明晶胞中球个数与空隙个数的关系。

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