HiCN的吸收波峰位于（）。A、504nmB、572nmC、540nmD、578nmE、634nm
HiCN的吸收波峰位于（）。
- A、504nm
- B、572nm
- C、540nm
- D、578nm
- E、634nm
相关考题：
ICSH规定HiCN参考液的条件中，不包括A、吸收曲线的波峰为（540±1）nm，波谷为504～502nmB、A／A=1.590～1.630C、CV≤0.5％D、5年内不变质E、普通培养和厌氧培养阴性
关于HicN参考品的规格，下列叙述错误的是A.A504／A540应在1．59～1．63之间B.A750≤0．002C.CV≤0．5％D.波峰(540±1)nm，波谷502～504nmE.准确度≤±0．5％
关于HicN参考品的规格，下列叙述错误的是A、波峰（540±1）nm，波谷502～504nmB、A750≤0．002C、CV≤0．5％D、准确度≤±0．5％E、A504／A540应在1．59～1．63之间
下列HiCN参考制品的规格中哪个是错误的（）。A、HiCN波峰在540±1nmB、HiCN波谷为502～504nmC、A540/A504应在1.59～1.63D、HiCN的摩尔消光系统为44
ICSH规定HiCN参考液的条件中，不包括（）A、吸收曲线的波峰为540±1nm，波谷为504～502nmB、A入504nm／A入504nm=1.590～1.630C、CV≤0.5%D、5年内不变质E、普通培养和厌氧培养阴性
单选题ICSH规定HiCN参考液的条件中，不包括（）A吸收曲线的波峰为（540±1）nm，波谷为504～502nmBA／A=1.590～1.630CCV≤0.5％D5年内不变质E普通培养和厌氧培养阴性
单选题ICSH规定HiCN参考液的条件中，不包括（）A吸收曲线的波峰为540±1nm，波谷为504～502nmBA入504nm／A入504nm=1.590～1.630CCV≤0.5%D5年内不变质E普通培养和厌氧培养阴性
单选题SDS检测Hb的吸收曲线波峰应位于（）A500nmB504nmC538nmD540nmE548nm