HiCN的吸收波峰位于A.540nmB.572nmC.634nmD.578nmE.504nm
HiCN的吸收波峰位于
A.540nm
B.572nm
C.634nm
D.578nm
E.504nm
B.572nm
C.634nm
D.578nm
E.504nm
参考解析
解析：
相关考题：
ICSH规定HiCN参考液的条件中，不包括A、吸收曲线的波峰为（540±1）nm，波谷为504～502nmB、A／A=1.590～1.630C、CV≤0.5％D、5年内不变质E、普通培养和厌氧培养阴性
关于HiCN参考品的规格，下列选项错误的是A.波峰(540±1)nm，波谷502～504nmB.A750≤0.002C.cv≤0.5%D.准确度≤±0.5%E.A504/A540为1.59～1.63
关于HicN参考品的规格，下列叙述错误的是A.A504／A540应在1．59～1．63之间B.A750≤0．002C.CV≤0．5％D.波峰(540±1)nm，波谷502～504nmE.准确度≤±0．5％
ICSH规定HiCN参考液的条件中，不包括A.5年内不变质B.普通培养和厌氧培养阴性C.CV≤0．5％D.吸收曲线的波峰为540±1nm，波谷为504～502nmE.A／A=1．590～1．630
下列HiCN参考制品的规格中哪个是错误的（）。A、HiCN波峰在540±1nmB、HiCN波谷为502～504nmC、A540/A504应在1.59～1.63D、HiCN的摩尔消光系统为44
单选题ICSH规定HiCN参考液的条件中，不包括（ ）。A吸收曲线的波峰为（540±1）nm，波谷为504～502nmBAλ540nm/Aλ504nm=1.590～1.630CCV≤0.5％D5年内不变质E普通培养和厌氧培养阴性
单选题ICSH规定HiCN参考液的条件中，不包括（）A吸收曲线的波峰为540±1nm，波谷为504～502nmBA入504nm／A入504nm=1.590～1.630CCV≤0.5%D5年内不变质E普通培养和厌氧培养阴性
单选题SDS-Hb的吸收波峰位于（ ）。A500nmB504nmC538nmD544nmE548nm