单选题频率和晶片尺寸相同时,横波与纵波相比,其指向性()。A 较好B 较坏C 一样D 以上都不对

单选题
频率和晶片尺寸相同时,横波与纵波相比,其指向性()。
A

 较好

B

 较坏

C

 一样

D

 以上都不对


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频率和晶片尺寸相同时,横波与纵波相比,其指向性()。A、 较好B、 较坏C、 一样D、 以上都不对

超声纵波、横波和表面波速度主要取决于:()A、频率B、传声介质的几何尺寸C、传声材料的弹性模量和密度

面积相同、频率相同的圆晶片和方晶片,声束指向性也相同()

同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比,近场区长度与晶片面积成正比。

检查板材中分层缺陷,不推荐使用哪种技术()A、单晶片直射纵波B、双晶片斜射纵波C、斜入射横波D、双探头透射法

爬波是指表面下纵波,爬波检测的深度范围与频率和晶片尺寸有关。

频率和晶片尺寸相同时,横波声束指向性不如纵波好。

纵波斜探头法的优点是工件中既有纵波,又有横波,因此可同时用纵波和横波进行缺陷检测。

为减小超声波通过介质时的衰减和避免林状回波,宜采用()进行探伤A、高频率、横波B、较低频率、横波C、高频率、纵波D、较低频率、纵波

横波探测缺陷要比纵波灵敏,这是因为()A、横波比纵波的波长短B、横波的频率高C、横波比纵波的波长长D、横波不易扩散

频率和晶片尺寸相同,横波指向性比纵波好。

在频率一定和材料相同的情况下,横波对小缺陷灵敏度比纵波高的原因是()。A、横波质点振动方向有利于缺陷反射B、横波检测杂波小C、横波波长短D、横波指向性好

频率、晶片尺寸等条件相同时,在同一介质中,横波声束指向性比纵波差。

斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能

在其他条件相同时,横波声束的指向性比纵波好,横波的能量更集中一些,因横波波波长比纵波短。

直探头的压电晶片发射纵波,斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。

在频率一定和材料相同情况下,横波对小缺陷探测灵敏度高于纵波,其原因:()。A、横波质点振动方向对缺陷反射有利B、横波探伤杂波少C、横波波长短D、横波指向性好

单选题在频率一定和材料相同情况下,横波对小缺陷探测灵敏度高于纵波的原因是:()。A横波质点振动方向对缺陷反射有利B横波探伤杂质少C横波波长短D横波指向性好

单选题横波探测缺陷要比纵波灵敏,这是因为()A横波比纵波的波长短B横波的频率高C横波比纵波的波长长D横波不易扩散

单选题在频率一定和材料相同的情况下,横波对小缺陷灵敏度比纵波高的原因是()。A横波质点振动方向有利于缺陷反射B横波检测杂波小C横波波长短D横波指向性好

判断题频率、晶片尺寸等条件相同时,在同一介质中,横波声束指向性比纵波差。A对B错

单选题频率和晶片尺寸相同时,横波与纵波相比,其指向性()。A 较好B 较坏C 一样D 以上都不对

判断题频率和晶片尺寸相同时,横波声束指向性不如纵波好。A对B错

判断题频率和晶片尺寸相同,横波指向性比纵波好。A对B错

单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中,在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而()。A 增大B 不变C 减小D 都有可能

单选题检查板材中分层缺陷,不推荐使用哪种技术()A单晶片直射纵波B双晶片斜射纵波C斜入射横波D双探头透射法

判断题在其他条件相同时,横波声束的指向性比纵波好,横波的能量更集中一些,因横波波波长比纵波短。A对B错

判断题爬波是指表面下纵波,爬波检测的深度范围与频率和晶片尺寸有关。A对B错