填空题晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie等于（）。

填空题
晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie等于（）。

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晶体管发射极电流IE、基极电流IB和集电极电流IC之间的关系是()。ΔIC／ΔIB叫做(),用字母()表示。
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当品体管接成共发射极电路，在静态时（ ）的比值称为共发射极静态放大系数。A.集电极电流Ic与基极电流IbB.集电极电流Ic与发射极电流IeC.发射极电流Ie与基极电流IbD.基极电流Ib与集电极电流Ic
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晶体三极管共发射极的电流放大倍数β为（）。A、Ie/IbB、IC/IbC、△Ie/△IbD、△IC/△Ib
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已知发射极电流Ie=4.68mA，基极电流Ib=0.06mA，求集电极电流Ic。
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晶体管在放大区工作时基极静态工作电流为（）。A、IB＝0B、IB0C、IB0
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由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。A、共发射极电路B、共集电极电路C、共基极电路D、三者差不多
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工作在放大状态的三极管，其极电流Ib，集电极电流Ic，发射极电流Ie的关系是（）。A、Ic＝Ie＋IbB、Ib＝Ie＋IcC、Ib＝Ic－IeD、Ie＝Ib＋Ic
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晶体管静态放大倍数β表示（），其中用IC表示集电极直流电流，IB表示基极直流电流。A、Ib/ICB、IC/IbC、IC*IbD、I/（IC*Ib）
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共发射极电流放大倍数为（）。A、集电极电流与基极电流之比B、发射极电流与基极电流之比C、集电极电流与发射极电流之比D、基极电流与集电极电流之比
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晶体三极管共发射极电路，放大倍数为50，集电极电流为100mA，基极电流为（）A、2mAB、4mAC、5mAD、50mA
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晶体三极管组成的共基极放大电路，电流放大倍数约等于1，电压放大倍数等于共射极电路，但输出电压相位和输入电压相位（）。
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就单管共发射极放大电路而言，当静态工作点过低（基极电流IB过小）时，输出波形易发生（）失真。
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晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。
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已知放大电路中的一只低频小功率晶体管的静态基极电流为0.047mA，则其微变等效输入内阻为（）。A、300ΩB、326ΩC、853ΩD、不能确定
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晶体管共发射极放大电路电流放大倍数较小。
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晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie是（）。
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在放大电路中，直流负反馈不能（）A、提高晶体管电流放大系数的稳定性B、提高放大电路的放大倍数C、稳定电路的静态工作点D、提高晶体管电压放大倍数的稳定性
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晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie等于（）。
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根据PNP型晶体三极管的电流分配原理，当处于放大状态时，其基极电流IB、发射极电流IE和集电极电流IC的关系是（）。A、IC=IE＋IBB、IB=IC+IEC、IE=IC+IBD、IB=IC+IE
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在共发射极晶体管的放大电路中，当加有输入信号（动态）时，集电极电流的变化量ΔIc与基极电流变化量ΔIb的比值称为共发射极（）放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功
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在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极（）放大系数。A、交流电流B、直流电流C、功率D、电功
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三极管工作在放大状态时，基极电流Ib、集电极电流Ic、射极电流Ie的关系是（）。A、Ie＝Ib＋Ic；B、Ic＝Ie＋Ib；C、Ib＝Ie＋Ie；D、Ib＝Ic－Ic。
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三极管工作在放大状态时，基极电流Ib、集电极电流Ic、射极电流Ie的关系是（）。A、Ie=Ib+IcB、Ic=Ie+IbC、Ib=Ie+IcD、Ib=Ic-Ie
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三极管电流放大作用的规律是（）。A、发射极电流等于基极电流和集电极电流之和，即Ie=Ib+IcB、基极电流很小，集电极和发射极电流接近相等C、基极电流的微小变化，可以引起集电极电流的较大变化D、以上都对
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判断题晶体管共发射极放大电路电流放大倍数较小。A对B错
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填空题晶体管放大电路，已知直流放大倍数为β、基极静态电流为Ib，发射极电流Ie是（）。
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判断题晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。A对B错
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