填空题当硅二极管处于()时,呈低阻值状态,当硅二极管处于(),呈高阻值状态。

填空题
当硅二极管处于()时,呈低阻值状态,当硅二极管处于(),呈高阻值状态。

参考解析

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相关考题:

在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。

汽车硅整流二极管单个测试的正向电阻值为()Ω。A.0B.8~10C.100~200D.1000~2000

当反向电压小于击穿电压是二极管处于()状态。A、死区B、截止C、导通D、击穿

在二极管两端加正向电压时,正向电流(),二极管处于()状态。

二极管处于导通状态时,二极管的压降()。A、为零B、硅管0.7V,锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变

用万用表测得的二极管正向电阻值是60Ω,则此管属于()二极管。A、硅B、锗C、铜D、铝

光敏电阻器的特性是()A、无光照时呈低阻状态,有光照时电阻值下降B、无光照时呈低阻状态,有光照时电阻值上升C、无光照时呈高阻状态,有光照时电阻值上升D、无光照时呈高阻状态,有光照时电阻值下降

当硅二极管加上0.3V正向电压时,该二极管相当于()。A、阻值很大的电阻B、小阻值电阻C、内部短路D、内部开路

硅稳压二极管应在反向击穿状态下工作。

二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()

当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时,该晶体二极管相当于()A、小阻值电阻B、阻值很大的电阻C、内部短路D、接通的开关

当反向电压小于击穿电压时二极管处于()状态。A、死区B、截止C、导通D、击穿

硅二极管单个测试时的反向电阻值为大于()A、100欧B、800欧C、10000欧D、10欧

当QF停止发电或其端电压低于蓄电池电压时,NL中的二极管处于反向截止状态,这种状态可防止蓄电池经NL()。

可控硅的控制极断了,可以当硅二极管使用。

硅稳压二极管工作在反向击穿状态,切断外加电压后,PN结仍处于反向击穿。()

当无光照时,光敏二极管处于截止状态。

二极管具有();当()时,二极管呈()状态;当()时,二极管呈()状态。

汽车硅整流二极管单个测试的正向电阻值为()Ω。A、0;B、8~10;C、100~200;D、1000~2000

二极管在正向电压作用下处于()状态。如果不计二极管的正向压降,它相当于开关处于()状态。

单选题当反向电压小于击穿电压时二极管处于()状态。A死区B截止C导通D击穿

填空题对国产交流发电机硅二极管测试,其反向电阻值应大于(),正向导通值为()时,说明该二极管正常。

单选题硅二极管单个测试时的反向电阻值为大于()A100欧B800欧C10000欧D10欧

单选题用万用表测得的二极管正向电阻值是60Ω,则此管属于()二极管。A硅B锗C铜D铝

单选题光敏电阻器的特性是()A无光照时呈低阻状态,有光照时电阻值下降B无光照时呈低阻状态,有光照时电阻值上升C无光照时呈高阻状态,有光照时电阻值上升D无光照时呈高阻状态,有光照时电阻值下降

填空题硅整流二极管承受正向电压的阻值很小,约为()Ω,反向电阻则大于()Ω,不符合要求时应予更换。

填空题稳定二极管稳压时是处于()偏置状态,而二极管导通时是处于()偏置状态。