光照光敏二极管，引起光敏二极管发生显著变化的量是()。A.电容B.电感C.电阻D.温度
光敏二极管在测光电路中应处于____偏置状态,而光电池通常处于____偏置状态。() A、正向B、反向C、零
当反向电压小于击穿电压是二极管处于（）状态。A、死区B、截止C、导通D、击穿
稳压二极管正常时，其状态处于（）。A、截止状态B、击穿状态C、饱和状态D、振荡状态
稳压二极管正常工作时，其状态处于（）.A、截止状态B、击穿状态C、饱和状态D、振荡状态
晶体二极管所加正向电压小于其截止区电压时，则二极管处于（）状态。A、导通B、截止C、电击穿D、热击穿
当反向电压小于击穿电压时二极管处于（）状态。A、死区B、截止C、导通D、击穿
当QF停止发电或其端电压低于蓄电池电压时，NL中的二极管处于反向截止状态，这种状态可防止蓄电池经NL（）。
用光照射光敏二极管，引起光敏二极管发生显著变化的量是（）。A、电容B、电感C、电阻D、温度
光照射光敏二极管，光强发生变化会引起光敏二极管电阻显著变化。
对于二极管而言，只有外加电压的方向于内电场方向相同时处于导通状态反之处于截止状态。
光敏二极管在没有光照射时反向电阻很大，暗电流很小。
当三极管处于截止状态时（）放大作用。A、有B、无C、有时可以D、不确定
稳压二极管外加正偏电压时处于（）状态。A、导通B、截止C、放大
光照光敏二极管，引起光敏二极管发生显著变化的量是（）。
要使光敏二极管有较大的输出应该（）。A、不加电压，只要有较强光照B、加反向电压，有较强光照C、加正向电压，有较强光照D、工作在反向击穿状态，不需要光照
填空题当硅二极管处于（）时，呈低阻值状态，当硅二极管处于（），呈高阻值状态。
单选题当反向电压小于击穿电压时二极管处于（）状态。A死区B截止C导通D击穿
填空题当QF停止发电或其端电压低于蓄电池电压时，NL中的二极管处于反向截止状态，这种状态可防止蓄电池经NL（）。
填空题光照光敏二极管，引起光敏二极管发生显著变化的量是（）。
填空题光敏二极管在测光电路中应处于（）偏置状态，而光电池通常处于（）偏置状态。