判断题PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。A对B错

判断题
PN结隔离所依据的基本原理是利用PN结正向偏置时的高阻性。
A

B


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就PN结的结电容大小进行比较,正向偏置时比反向偏置时的结电容();就PN结的结电容对性能影响,正向偏置时比反向偏置时的影响()。 A、多B、少C、大D、小

晶体三极管放大时,它的两个PN结的工作状态为()。 A、均处于正向偏置B、均处于反向偏置C、发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置D、发射结处于反向偏置,集电结处于正向偏置

PN结正向偏转时电阻小,反向偏置时电阻大。 () 此题为判断题(对,错)。

PN结具有单向导电性,PN结上承受的这一作用方向的电压称()偏置电压,简称PN结正向偏置。 A、正向B、反向C、双向D、逆向

PN结的单向导电性指的是 PN结()偏置时导通,()偏置时截止的特性 。

稳压管的稳压性能是利用( )实现的。A.PN结的单向导电性B.PN结的反向击穿特性C.PN结的正向导通特性D.PN工艺特性

硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的()。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性

当PN结加正向电压时,PN结处于截止状态。

半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的()。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性

PN结的单向导电性就是:加正向电压时,PN结();加反向电压时,PN结()。

稳压管是利用()特性来实现稳压功能的。A、PN结的单向导电B、PN结的反向击穿C、PN结的正向导通D、结电容使波形平滑

PN结加正向电压则:()A、PN结变薄B、PN结变厚C、PN结不变

PN结具有()性能,即加正向电压时,PN结();加反向电压时,PN结()。

PN结具有()性,即加正向电压时,PN结(),加反向电压时,PN结()。

PN结具有(),即加正向电压时,PN结处于(),加反向电压时,PN结处于()。

PN结具有()性,()偏置时导通,()偏置时截止。

PN结正向偏置是指P区接电源()极,N区接电源()极。

PN结正向偏置时,其内电场被()。A、削弱B、增强C、不变D、不确定

PN结正向偏置时,空间电荷区将变()。

与反向偏置相比,正向偏置时PN结的宽度()、()等效电阻。

当PN结外加正向电压时,PN结内多子()形成较大的正向电流。

PN结反向偏置时,PN结的内电场()。PN具有()特性。

半导体稳压管的稳压作用是利用()A、PN结单向导电性实现的B、PN结的反向击穿特性实现的C、PN结的正向导通特性实现的D、PN结的反向截止特性实现的

PN结正向偏置时,处于()状态,呈低电阻,正向电流大。

三极管工作在饱和区时,两个PN结的偏置是:()加正向电压,()加正向电压。

三极管工作在饱和区时,两个PN结的偏置是:发射结加正向电压,集电结加正向电压。

单选题PN结正向偏置时,其内电场被()A削弱B增强C不变D不确定