填空题SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、()、()、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

填空题
SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、()、()、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

下列元件中属于动态元件的有(). A、电阻B、电感C、电容D、电压源

常见的电路元件有电阻元件、电容元件、电感元件、电压源、电流源。() 此题为判断题(对,错)。

下列元件中属于储能元件的有(). A、电容B、电流源C、电阻D、电感

8.L电磁暂态过程是由短路引起的电流、电压突变及其后在电感、电容型储能元件及电阻型耗能元件中引起的过渡过程。

换路开始瞬间,电路中能发生突变的有()A、电容的电压B、电容的电流C、电感的电压D、电感的电流E、电阻的电压F、电阻的电流

电路中,储能元件有()A、电阻B、电感C、电流源D、电容E、电压源

正弦交流电路中,()元件上电压和电流同相位,()元件上电压在相位上超前电流90º,()元件上电压在相位上滞后电流90º。A、电阻B、电感C、电压D、电流E、电容F、电场

双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压

变压器低电压启动的过电流保护由电流元件、电压元()元件等构成。A、电阻B、电容C、电感D、时间

晶体管是电流控制型半导体器件,而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。

场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。

如果元件上流过的电流超前元件上的电压90度相位角,那么这个元件是()。A、电阻;B、电容;C、电感;D、等效于电阻、电感元件串联。

在()电路中,在相位上电流比电压滞后90°。A、电阻元件B、电感元件C、电容元件D、电动机

三极管是电流控制器件,场效应晶体管是()器件。A、电阻控制B、电压控制C、动态控制D、单项控制

SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、()、()、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

电路储能元件是指()A、电阻元件B、电感元件C、电压源元件D、电容元件E、电流源元件

电力场效应晶体管属于电流型控制元件。

电路中常用的理想电路元件有电阻、电感、电容、电压源、电流源和受控源。

电阻元件上的电压、电流在相位上是()关系;电感元件上的电压、电流相位存在()关系,且电压()电流;电容元件上的电压、电流相位存在()关系,且电压()电流。

电力场效应晶体管(电力MOSFET)是理想的()控制器件。A、电压B、电流C、电阻D、功率

双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号()。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制,场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制,场效应晶体管为电压控制

电力场效应晶体管是理想的()控制型器件A、电压B、电流C、电阻D、功率

单选题电力场效应晶体管(电力MOSFET)是理想的()控制器件。A电压B电流C电阻D功率

单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为()AP沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

单选题常见的电路元件有电阻元件、电容元件、()、电压源、电流源。A动力元件B电感元件C执行元件D发光元件

填空题SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、()、()、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为()AP沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管BP沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管CN沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管DN沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

单选题场效应晶体管根据结构不同分为两大类,它们的类型和简称是()A结型场效应晶体管,简称JFETB绝缘栅型场效应晶体管,简称JFETC结型场效应晶体管JGFETD绝缘栅型场效应晶体管JGFET