单选题E2PROM(FLASH存储器)通过()的特殊写方式对其进行编程和擦除。A紫外线光B电脉冲C光脉冲D激光
单选题
E2PROM(FLASH存储器)通过()的特殊写方式对其进行编程和擦除。
A
紫外线光
B
电脉冲
C
光脉冲
D
激光
参考解析
解析:
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在各种存储器中,闪速存储器是一种电可擦可编程的只读存储器,与E2PROM相比其特点是(8)。A.擦除和读出速度较快,可擦字节擦除B.擦除和读出速度较快,只能按数据块擦除C.擦除和读出速度较慢,只能按数据块擦除D.擦除和读出速度较慢,可按字节擦除
进行存储解决方案选择时,以下说法错误的是(49)。A.NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B.NAND Flash的写人速度比NOR Flash快一些C.NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D.NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作
下列有关Flash存储器的描述,不正确的是()A、Flash存储器属于非易失的存储器B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息
下列关于GPIO描述正确的是()A、GPIO可以由CPU编程决定方向,但不能查询其状态B、GPIO通常用于连接外部的SDRAM,进行高速传输C、CPU可以通过编程,决定GPIO是输入、输出的通信功能,但不能是双向的D、GPIO可以用于模拟Flash的接口,对Flash存储器进行读写操作
单选题下列关于GPIO描述正确的是()AGPIO可以由CPU编程决定方向,但不能查询其状态BGPIO通常用于连接外部的SDRAM,进行高速传输CCPU可以通过编程,决定GPIO是输入、输出的通信功能,但不能是双向的DGPIO可以用于模拟Flash的接口,对Flash存储器进行读写操作