以下叙述中，不正确的是（）。A、半导体存储器包括RAM和ROMB、Flash存储器是非易失性的C、Cache是高速缓存D、EPROM使用电擦除方式
以下叙述中，不正确的是（）。
- A、半导体存储器包括RAM和ROM
- B、Flash存储器是非易失性的
- C、Cache是高速缓存
- D、EPROM使用电擦除方式
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下面关于半导体存储器的叙述中，错误的是A．DRAM是指动态随机存取存储器B．SRAM是指静态随机存取存储器C．EPROM 是一种只读存储器了内容一经写入就不能再被擦除D．Flash Memory既具有非易性，又能快速擦除和重写
下列说法中( )是正确的。A．半导体ROM 信息可读可写，且断电后仍能保持记忆B．半导体ROM 是非易失性的，断电后仍然能保持记忆C．半导体ROM 是非易失性的，断电后也不能保持记忆D．EPROM 是可改写的，因而也是随机存储器的一种
下面与半导体存储器相关的叙述中，错误的是A．RAM芯片和ROM芯片一样，即使芯片断电，其中的内容也能保持不变B．CPU中的cache存储器由SRAM组成C．DRAM的存取速度比SRAM慢D．数码相机使用的存储卡由Flash存储器组成
下面是关于嵌入式系统使用的存储器的叙述，其中正确的是：（）。A.静态存储器SRAM是非易失性存储器B.动态存储器DRAM是非易失性存储器C.Flash存储器是非易失性存储器D.EEPROM是易失性存储器
以下说法中错误的是（ ）。 A.动态RAM和静态RAM都是易失性半导体存储器。B.计算机的内存由RAM和ROM两种半导体组成。C.ROM和RAM在存储体中是统一编址的。D.固定存储器（ROM）中的任何一个单元不能随机访问
下列有关RAM和ROM的叙述中，正确的是()。Ⅰ.RAM是易失性存储器.ROM是非易失性存储器Ⅱ.RAM和ROM都是采用随机存取的方式进行信息访问Ⅲ.RAM和ROM都可用作CacheⅣ.RAM和ROM都需要进行刷新A.仅Ⅰ和ⅡB.仅Ⅱ和ⅢC.仅Ⅰ，Ⅱ，ⅢD.仅Ⅱ，Ⅲ，Ⅳ
下列有关Flash存储器的描述，不正确的是（）A、Flash存储器属于非易失的存储器B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息
单选题下列有关RAM和ROM的叙述中，正确的是（ ）。Ⅰ．RAM是易失性存储器，ROM是非易失性存储器Ⅱ．RAM和ROM都采用随机存取方式进行信息访问Ⅲ．RAM和ROM都可用作CacheⅣ．RAM和ROM都需要进行刷新AⅠ、ⅡBⅡ、ⅢCⅠ、Ⅱ、ⅣDⅡ、Ⅲ、Ⅳ