单选题E2PROM（FLASH存储器）通过（）的特殊写方式对其进行编程和擦除。A紫外线光B电脉冲C光脉冲D激光

单选题
E2PROM（FLASH存储器）通过（）的特殊写方式对其进行编程和擦除。
A

紫外线光

B

电脉冲

C

光脉冲

D

激光

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E2PROM是指() A、掩膜只读存储器B、可编程只读存储器C、可擦除可编程只读存储器D、电可擦除只读存储器
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PROM是指() A、掩膜只读存储器B、可编程只读存储器C、可擦除可编程只读存储器D、电可擦除只读存储器
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闪速存储器的工作原理是利用电擦除和重新编程能力。() 此题为判断题(对，错)。
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在各种存储器中，闪速存储器是一种电可擦可编程的只读存储器，与E2PROM相比其特点是(8)。A．擦除和读出速度较快，可擦字节擦除B．擦除和读出速度较快，只能按数据块擦除C．擦除和读出速度较慢，只能按数据块擦除D．擦除和读出速度较慢，可按字节擦除
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计算机中的Cache是指______。A．可编程只读存储器B．高速缓冲存储器C．可擦除可编程只读存储器D．电可擦除可编程只读存储器
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进行存储解决方案选择时，以下说法错误的是(49)。A．NAND Flash的读取速度比NOR Flash快一些B．NAND Flash的写人速度比NOR Flash快一些C．NAND Flash的擦除速度比NOR Flash快一些D．NAND Flash的写入操作需要先进行擦除操作
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计算机系统中，PROM表示______。A．可擦除可编程只读存储器B．电可擦除可编程只读存储器C．动态随机存储器D．可编程只读存储器
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E2PROM(FLASH存储器)通过()的特殊写方式对其进行编程和擦除。 A.紫外线光B.电脉冲C.光脉冲D.激光
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EPROM全称为()。 A.不可编程只读存储器B.电可擦除可编程只读存储器C.可编程不可擦除只读存储器D.可编程可擦除只读存储器
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下列有关Flash存储器的描述，不正确的是（）A、Flash存储器属于非易失的存储器B、Flash存储器的读操作与SRAM存储器的读操作基本相同C、Flash存储器的写操作与SDRAM存储器的写操作基本相同D、Flash存储器在写入信息前必须首先擦除原有信息
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下列关于GPIO描述正确的是（）A、GPIO可以由CPU编程决定方向，但不能查询其状态B、GPIO通常用于连接外部的SDRAM，进行高速传输C、CPU可以通过编程，决定GPIO是输入、输出的通信功能，但不能是双向的D、GPIO可以用于模拟Flash的接口，对Flash存储器进行读写操作
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在下列存储器中，（）表示可读／写存储器。A、ROMB、RAMC、EPROMD、E2PROM
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Flash芯片烧写方式可以分为（）方式和在线编程模式两种。
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下列按块擦除的是（）存储器。A、EPROMB、EEPROMC、PROMD、FLASH
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具有电可擦除的只读存储器是（）。A、ROMB、PROMC、EPROMD、E2PROM
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以下叙述中，不正确的是（）。A、半导体存储器包括RAM和ROMB、Flash存储器是非易失性的C、Cache是高速缓存D、EPROM使用电擦除方式
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EEPROM的中文含义是（）。A、只读存储器B、存储器C、可擦除存储器D、电可擦除可编程存储器
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只读存储器ROM中的EEPROM指的是哪种内存（）。A、只读存储器B、可编程只读存储器C、光擦除可编程只读存储器D、电擦除可编程只读存储器
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EPROM全称为（）。A、不可编程只读存储器B、电可擦除可编程只读存储器C、可编程不可擦除只读存储器D、可编程可擦除只读存储器
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E2PROM（FLASH存储器）通过（）的特殊写方式对其进行编程和擦除。A、紫外线光B、电脉冲C、光脉冲D、激光
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FLASH的中文含义是（）。A、闪速存储器B、随机存储器C、只读存储器D、电可擦除可编程存储器
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下列只读存储器中，仅能一次写入数据的是（）A、PROMB、EPROMC、Flash MemoryD、E2PROM
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单选题只读存储器ROM中的EEPROM指的是哪种内存（）。A只读存储器B可编程只读存储器C光擦除可编程只读存储器D电擦除可编程只读存储器
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单选题EPROM全称为（）。A不可编程只读存储器B电可擦除可编程只读存储器C可编程不可擦除只读存储器D可编程可擦除只读存储器
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单选题E2PROM是指（）A掩膜只读存储器B可编程只读存储器C可擦除可编程只读存储器D电可擦除只读存储器
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单选题MROM是指（）A掩膜只读存储器B可编程只读存储器C可擦除可编程只读存储器D电可擦除只读存储器
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单选题下列关于GPIO描述正确的是（）AGPIO可以由CPU编程决定方向，但不能查询其状态BGPIO通常用于连接外部的SDRAM，进行高速传输CCPU可以通过编程，决定GPIO是输入、输出的通信功能，但不能是双向的DGPIO可以用于模拟Flash的接口，对Flash存储器进行读写操作
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